存储单元阵列以及形成该存储单元阵列的方法[发明专利]
来源：化拓教育网
专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：存储单元阵列以及形成该存储单元阵列的方法专利类型：发明专利发明人：L·黑内克,M·波普申请号：CN200710146082.0申请日：20070907公开号：CN101140935A公开日：20080312
摘要：本发明公开了一种具有多个存储单元的存储单元阵列。在一个实施例中，每个存储单元包括存储电容器和存取晶体管、多条定向于第一方向的位线、多条定向于第二方向的字线(第二方向垂直于第一方向)、具有表面的半导体衬底，多个有源区形成在半导体衬底中，每个有源区在第二方向上延伸，存储电容器部分地形成在有源区中且将相应的存储电容器连接于相应的位线，其中每个存取晶体管的栅电极连接于相应的字线，该存储电容器的电容器介电质具有大于8的介电常数，并且字线设置在位线的上方。
申请人：奇梦达股份公司
地址：德国慕尼黑
国籍：DE
代理机构：北京康信知识产权代理有限责任公司
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容