硅单晶提拉设备与生长方法[发明专利]
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专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：硅单晶提拉设备与生长方法专利类型：发明专利
发明人：李秦霖,刘浦锋,宋洪伟,陈猛申请号：CN201610364029.7申请日：20160530公开号：CN105887186A公开日：20160824
摘要：本发明提供一种硅单晶提拉设备，在坩埚托盘支架下方设置辅助热屏，在辅助热屏内部设置底部加热器，底部加热器由水冷电极支撑和冷却，底部加热器由石墨材料制备而成，辅助热屏为倒U形结构，辅助热屏的上部水平部分只包含单层石墨，辅助热屏的两边竖直部分包含双层石墨，其是在内层单层石墨的基础上增加了一层外层石墨，且外层石墨材料的热导率不小于0.1W/m/k且不大于20W/m/K，而内层石墨材料的热导率不小于75W/m/K且不大于200W/m/K。本发明还提供一种采用该硅单晶提拉设备进行硅单晶生长的方法。通过本发明，可大幅度缩短多晶硅原料的熔化时间、提高硅单晶提拉生长速率，缩短硅单晶生长周期，节约成本，提高生产效率。
申请人：上海超硅半导体有限公司
地址：201604 上海市松江区石湖荡镇养石路88号
国籍：CN
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