对氧化硅和氮化硅有选择地进行蚀刻的方法[发明专利]
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专利名称：对氧化硅和氮化硅有选择地进行蚀刻的方法专利类型：发明专利发明人：后平拓,冨永翔申请号：CN201710827662.X申请日：20170914公开号：CN107833831A公开日：20180323
摘要：本发明提供有选择地且高效地蚀刻氧化硅和氮化硅的方法。一实施方式的方法包括：在腔室内准备被加工物的步骤；在被加工物的温度被设定为第一温度的状态，在腔室内生成含有碳、氢和氟的处理气体的等离子体，来对被加工物的氧化硅进行蚀刻的步骤；在被加工物的温度被设定为比第一温度高的第二温度的状态，在腔室内生成含有碳、氢和氟的处理气体的等离子体，来对被加工物的氮化硅进行蚀刻的步骤。
申请人：东京毅力科创株式会社
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人：龙淳
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