硅片等级标准

宏质200902--- 硅片等级.分类及标准

一． 优等品

（表面光滑洁净。无应力;无线痕，无缺限.）

1.几何尺寸

(1)厚度：200 ±20µm;

(2)边长：125±0.5mm.对角线150±0.5mm;

(3)同心度：任意两个弧的弦长之差≤1mm;

(4)垂直度:任意两边的夹角≤90°±0.5°;

(5)TTV（厚度差）≤20µm;

(6)TV≤30µm;

2.少子寿命≥10µs(Semilab WT---1000,表面酸洗碘酒钝化后)，电阻率：0.5—3ΩCm,3—6ΩCm.

其它未明事宜参照行业标准。

二． 合格品

(微线痕，表面光滑洁净)

1.几何尺寸

（1）厚度：200 ±20µm;

（2）边长：125±0.5mm.对角线150±0.5mm;

(3)同心度：任意两个弧的弦长之差≤1mm;

(4)垂直度:任意两边的夹角≤90°±0.5°;

(5)TTV（厚度差）≤20µm;

（6）线痕≤20µm

（7）崩边范围：崩边口不是 “V”形状， 长≤1mm, 深≤0.5mm，硅片的边缘有少许的硅落个数≤2个/片；

（8）弯曲度(翘曲度)≤40µm

2.少子寿命≥10µs(Semilab WT---1000,表面酸洗碘酒钝化后)，电阻率：0.5—3ΩCm,3—6ΩCm.

其它未明事宜参照行业标准。

三． 等外品

(线痕，TTV不超过50µm)

1.几何尺寸

（1）厚度：200±20µm;

（2）边长：125±0.5mm.对角线150±0.5mm;

(3)同心度：任意两个弧的弦长之差≤1.5mm;

(4)垂直度: 任意两边的夹角≤90°±0.8°;

（5）TTV（厚度差）≤50µm;

（6）线痕≤40µm(TIR)

（7）弯曲度(翘曲度)≤800µm;

2.少子寿命≥10µs(Semilab WT---1000,表面酸洗碘酒钝化后)，电阻率：0.5—3ΩCm,3—6ΩCm.

其它未明事宜参照行业标准。

四． 回炉品

严重线痕：线痕＞40µm(TIR);

严重厚薄片：TTV（厚度差）＞50µm;

崩边片：有缺损但不可以改Ø103mm的硅片；

气孔片：硅片中间有穿孔；

外形片：（未磨出）切片滚圆未能磨出的硅酸片;

倒角片：（圆心偏移片）任意两个弧的弦长之差＞1.5mm;

菱形片：（垂直度）任意两边的夹角＞90°±0.8°

脏片：硅片表面有严重污渍且发黄.发黑;

严重应力片：弯曲度(翘曲度) ＞800µm;

尺寸偏差片：几何尺寸超过等外品的范围。

注：以上硅片的划分标准依据客户的标准和行业技术水平的变化而变化。

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