一种改善表面颗粒的重掺砷单晶硅晶圆抛光片的抛光工艺[发明专利]
来源：化拓教育网
专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：一种改善表面颗粒的重掺砷单晶硅晶圆抛光片的抛
光工艺
专利类型：发明专利
发明人：孙晨光,曲涛,垢建秋,韩贵祥,张俊生申请号：CN201210534693.3申请日：20121212公开号：CN103009234A公开日：20130403
摘要：本发明涉及一种改善表面颗粒的重掺砷单晶硅晶圆抛光片的抛光工艺。本工艺使用有蜡贴片机将硅片贴在陶瓷盘上进行抛光；抛光过程分成三个阶段：粗抛光阶段、中抛光阶段和精抛光阶段，粗抛光阶段、中抛光阶段和精抛光阶段又分别按四个步骤进行。本工艺通过对每个步骤的抛光压力、转速、时间及流量等参数的控制，获得的重掺砷单晶硅晶圆抛光片一次合格率可以稳定达到90％以上，从而解决了以往生产中存在颗粒超标的难题，使大规模生产重掺砷硅晶圆抛光片成为现实，降低了成本，提高了劳动生产率。同时对器件与集成电路的电学性能和成品率有着重要的影响，本工艺对满足器件和大规模集成电路对衬底硅片越来越高的要求具有重大意义和实用价值。
申请人：天津中环领先材料技术有限公司
地址：300384 天津市西青区华苑技术产业园区(环外)海泰东路12号
国籍：CN
代理机构：天津中环专利商标代理有限公司
代理人：王凤英
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