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专利名称：一种硅通孔结构及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：陈琳,喻琳杰,王天宇,孙清清,张卫申请号：CN201810416195.6申请日：20180503公开号：CN108461465A公开日：20180828
摘要：本发明属于三维封装技术领域，具体为一种硅通孔结构及其制备方法。结构包括：在晶圆的上表面形成的电极，晶圆的背面形成的通孔；在通孔侧壁及晶圆背面形成的作为绝缘介质层的有机聚合物薄膜；在通孔中填充有导电金属，导电金属与所述电极相接触。制备步骤为对已形成有电极的晶圆背面进行光刻和刻蚀，形成通孔；生长有机聚合物薄膜；在通孔侧壁和底部淀积填充导电金属，完成通孔的连接。本发明可以减少通孔填充后应力的集中，同时获得较好的侧壁形覆盖特性。通孔倒梯形结构的侧壁使得通孔在填充导电金属后不会形成空洞，并可以提高导电金属的电镀速率。
申请人：复旦大学
地址：200433 上海市杨浦区邯郸路220号
国籍：CN
代理机构：上海正旦专利代理有限公司
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