[19]中华人民共和国国家知识产权局
[12]实用新型专利说明书专利号 ZL
200820137357.4
[51]Int.CI.
H05K 1/02 (2006.01)H05K 1/11 (2006.01)
[45]授权公告日2009年8月26日[22]申请日2008.09.20[21]申请号200820137357.4
[73]专利权人深圳市神舟电脑股份有限公司
地址518112广东省深圳市龙岗区坂雪岗工业区
新天下工业城[72]设计人张瑞光 付威
[11]授权公告号CN 2012958Y
权利要求书 1 页 说明书 2 页 附图 1 页
[54]实用新型名称
一种带散热过孔的MOSFET焊盘设计的电路板[57]摘要
本实用新型涉及一种带散热过孔的MOSFET焊盘设计的电路板，MOSFET三极管焊盘包含两个矩形小焊盘4和一个方形大焊盘1，在方形大焊盘1外围增加一圈散热过孔2，该孔为通孔，孔内镀铜。散热过孔2的信号属性与方形大焊盘1相同。用铜箔3将散热过孔2与方形大焊盘1相连，便于MOSFET三极管产生的热量更好的从方形大焊盘1传送到散热过孔2，再由散热过孔2将热量散发到电路板背面。实施本实用新型的电路板，MOSFET三极管所产生的大量热量除在周边散开外，也可通过方形大焊盘外围增设的一圈散热过孔将热量散发到电路板背面，大大加快了散热的速度和面积，从而带来更好的散热效果。
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权 利 要 求 书
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1、一种带散热过孔的MOSFET焊盘设计的电路板，MOSFET三极管焊盘包含两个矩形小焊
盘和一个方形大焊盘，其特征在于，在方形大焊盘外围增加一圈散热过孔。
2、根据权利要求1所述的带散热过孔的MOSFET焊盘设计的电路板，其特征在于，散热过孔为通孔，孔内镀铜。
3、根据权利要求1所述的带散热过孔的MOSFET焊盘设计的电路板，其特征在于，用铜
箔将散热过孔与方形大焊盘相连。
4、根据权利要求1所述的带散热过孔的MOSFET焊盘设计的电路板，其特征在于，散热
过孔的信号属性与方形大焊盘相同。
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说 明 书
一种带散热过孔的MOSFET焊盘设计的电路板
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技术领域
本实用新型涉及一种电路板，更具体的说，涉及一种带散热过孔的MOSFET焊盘设计的电路板。背景技术
电路板是一般电器产品中最为重要且不可或缺的部分，主要用于将各种电子零件、芯片连通以达到特定的效果。一般的电路板会安装一些MOSFET零件，即场效晶体管或叫三极管。 MOSFET三极管有多种封装，如TO-263，TO-252等，一般为3个或3个以上焊盘，其中一个为方形大焊盘。在实际工作中，MOSFET三极管会产生热量，其中热量主要集中于方形大焊盘所处的位置。如果热量没有及时散去引起MOSFET三极管热量积累过多，可能导致MOSFET三极管停止工作甚至烧毁，从而使整块电路板停止工作，带来严重后果。为解决MOSFET三极管的散热，现采用了多种方式如添加锡条散热、给MOSFET上添加金属散热片、系统风扇吹风等，但这些方式却在无形中增加了成本。发明内容
本实用新型要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种带散热过孔的MOSFET焊盘设计的电路板。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种带散热过孔的MOSFET焊盘设计的电路板，MOSFET三极管焊盘包含两个矩形小焊盘和一个方形大焊盘，在方形大焊盘外围增加一圈散热过孔，该孔为通孔，孔内镀铜。散热过孔的信号属性与方形大焊盘相同。用铜箔将散热过孔与方形大焊盘相连，便于MOSFET三极管产生的热量更好的从方形大焊盘传送到散热过孔，再由散热过孔将热量散发到电路板背面。
实施本实用新型的电路板，具有以下有益效果：MOSFET三极管所产生的大量热量除在周边散开外，也可通过方形大焊盘外围增设的一圈散热过孔将热量散发到电路板背面，大大加快了散热的速度和面积，从而带来更好的散热效果。附图说明
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200820137357.4说 明 书 第2/2页
下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明，附图中； 图1是现有MOSFET三极管焊盘示意图；
图2是本实用新型的带有散热过孔MOSFET三极管焊盘示意图。 具体实施方式
如图1所示，现有的MOSFET三极管焊盘包含两个矩形的小焊盘4和一个方形的大焊盘1。 如图2所示，本实用新型提供的带散热过孔的MOSFET焊盘设计的电路板，包含两个矩形小焊盘4和一个方形大焊盘1以及方形大焊盘1外围增加的一圈散热过孔2。实际操作时，MOSFET三极管的焊盘焊接到电路板上，待焊接温度冷却后在其方形大焊盘1外围增加一圈散热过孔2，该孔为通孔，孔内镀铜。散热过孔2与方形大焊盘1之间信号属性相同，用铜箔3将散热过孔2与方形大焊盘1相连，便于MOSFET三极管产生的热量更好的从方形大焊盘1传送到散热过孔2，再由散热过孔2将热量散发到电路板背面。
以上所述仅为本实用新型的一较佳实施例，不能以其限定本实用新型实施的范围，即大凡依本实用新型所作的均等变化与修饰，皆应仍属本实用新型专利保护的范围。
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说 明 书 附 图
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图1
图2
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