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专利名称：一种生成纳米晶界高电阻率膜降低镍锌铁氧体功率
损耗的方法
专利类型：发明专利
发明人：严密,金佳莹,姜银珠,霍骅鑫,包大新,杜阳忠,魏中华申请号：CN201710936392.6申请日：20171010公开号：CN107778001A公开日：20180309
摘要：本发明公开了一种生成纳米晶界高电阻率膜降低镍锌铁氧体功率损耗的方法，通过添加纳米级低熔点氧化物，形成核壳结构晶粒，从而降低镍锌铁氧体的功率损耗。本发明的创新性在于采用高预烧温度，使预烧粉获得较高的铁氧体百分比，通过球磨，使铁氧体粉尺寸降低到单畴尺寸以下，然后添加纳米级低熔点氧化物，烧结时在铁氧体颗粒表面熔化，形成具有纳米级晶界高电阻率膜的核壳结构晶粒，从而同时大幅度降低镍锌铁氧体的磁滞损耗和涡流损耗。
申请人：浙江大学,横店集团东磁股份有限公司
地址：310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
国籍：CN
代理机构：杭州求是专利事务所有限公司
代理人：郑海峰
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