（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201810032255.4 （22）申请日 2018.01.12
（71）申请人 中国科学院微电子研究所
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
（10）申请公布号 CN108336129A
（43）申请公布日 2018.07.27
（72）发明人 董升旭;白云;田晓丽;汤益丹;杨成樾;陈宏;王臻星;刘新宇 （74）专利代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 韩建伟
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
超级结肖特基二极管与其制作方法
（57）摘要
本申请提供了一种超级结肖特基二极管与
其制作方法。该超级结肖特基二极管包括：N+型衬底；N型外延层，设置在N+型衬底的表面上，N型外延层中具有依次叠置设置的P区和P+区，P+区的远离P区的表面为N型外延层的部分表面；正面金属层，设置在N型外延层的远离N+型衬底的至少部分表面上，以使正面金属层与N型外延层形成肖特基结。该超级结肖特基二极管的反向击穿电压较大，能够应用于高压领域中。
法律状态
法律状态公告日
2018-07-27 2018-07-27 2018-08-21
公开 公开
实质审查的生效
法律状态信息
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