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专利名称：半导体器件结构专利类型：实用新型专利发明人：李晓锋,黄富强申请号：CN202022561773.0申请日：20201109公开号：CN213212147U公开日：20210514
摘要：一种半导体器件结构，包括金属环腔、位于金属环腔内的芯片，以及连接片，连接片为导电金属，其一端与第一金属电极固定连接，另一端与金属环腔固定连接。通过金属环腔和连接片使得将芯片的电极从一面引到另一面，即第二金属电极和金属环腔底部的金属底座外露，便于两个电极贴装在PCB板上，也就是使得芯片的两个电极在同一面上，结构紧凑，更便于直接贴装在PCB板上，能够提高加工效率，另外，通过类似于桶装结构包封住芯片，使得器件的整体类似一个纽扣电池的形状，芯片的外围全部被金属包绕，金属导热性能良好，外部的导热面积大，提高芯片的导热性能，特别是针对一些较大功率的半导体器件，其能够满足快速封装和散热性能良好的双重功能。
申请人：浙江里阳半导体有限公司
地址：317600 浙江省台州市玉环市芦浦镇漩门工业区
国籍：CN
代理机构：深圳鼎合诚知识产权代理有限公司
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