一种霍尔推力器磁路结构

（12）发明专利说明书

（21）申请号 CN2014108175.4 （22）申请日 2014.12.22

（71）申请人 兰州空间技术物理研究所

地址 730000 甘肃省兰州市城关区渭源路97号

（10）申请公布号 CN104632565B

（43）申请公布日 2017.10.13

（72）发明人 杨乐;郭宁;贾艳辉;陈娟娟 （74）专利代理机构 北京理工大学专利中心

代理人 李微微

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

一种霍尔推力器磁路结构

（57）摘要

本发明公开了一种霍尔推力器磁路结

构，通过在外磁屏、内磁屏和磁屏底座上开孔，以及在磁屏底座和导磁底座之间留有间隙，提高了霍尔推力器放电通道的散热效率，可以降低霍尔推力器热设计的难度；通过对磁屏参数，尤其是扇形孔尺寸的优化，提高了放电通道内的磁场梯度，从而提高了电子利用率和电离效率；同时，通过对扇形孔面积的优化，使磁场径向分量的最大值超出磁屏上端，将离子对陶瓷内、外环的腐蚀溅射效应降到最低，从而最大程度地提高了

霍尔推力器的寿命。 法律状态

法律状态公告日

2015-05-20 2015-05-20 2015-06-17 2015-06-17 2017-10-13

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

法律状态

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

权利要求说明书

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说明书

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