专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：增加控制栅极与浮动栅极间重叠面积的存储装置及
其制法
专利类型：发明专利
发明人：刘振钦,黄兰婷,杨姈桂,吴柏瑄申请号：CN200710147285.1申请日：20070906公开号：CN101150134A公开日：20080326
摘要：一种制造浮动栅极存储器装置的方法，包含利用位于浮动栅极之下的掩埋扩散氧化物，从而在浮动栅极与掩埋扩散氧化物之间，制造增加的阶梯高度。增加的阶梯高度可提供更高的GCR，但仍可减低使用虚拟接地阵列设计的存储单元尺寸。
申请人：旺宏电子股份有限公司
地址：中国新竹科学工业园区
国籍：CN
代理机构：永新专利商标代理有限公司
代理人：王英
更多信息请下载全文后查看
