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专利名称：在控制栅极边缘上操作存储装置的方法与结构专利类型：发明专利发明人：吴昭谊
申请号：CN200710111918.3申请日：20070620公开号：CN101093860A公开日：20071226
摘要：本发明的电荷捕捉存储装置与方法，利用边缘诱发效应而增加第二位操作区间。此边缘诱发效应发生于字线底下的区域，使得当对存储装置使用空穴注入法时，空穴电荷储存于电荷捕捉层中，电荷捕捉层与字线正交，且空穴电荷沿着字线的边缘储存。在实施例中，虚拟接地阵列包括电荷捕捉层，其设置于二介质层之间，使得源极与漏极区域之上没有电荷捕捉层。施加空穴注入至此虚拟接地阵列之后，空穴电荷沿着每一字线的边缘储存，因为字线的边缘与非边缘部分相较之下，其电场较大。
申请人：旺宏电子股份有限公司
地址：中国新竹科学工业园区
国籍：CN
代理机构：永新专利商标代理有限公司
代理人：王英
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