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专利名称：使用快速退火在SiGe层上形成均匀Ni(Pt)Si(Ge)接
触的方法和器件
专利类型：发明专利
发明人：J·S·纽伯里,K·P·罗德贝尔,章贞,朱煜申请号：CN201310371406.6申请日：20130823公开号：CN103632951A公开日：20140312
摘要：本发明涉及使用快速退火在SiGe层上形成均匀Ni（Pt）Si（Ge）接触的方法和器件。提供了在不使用帽层的情况下形成光滑硅化物的技术。在一个方面，提供了一种用于形成硅化物的无帽层方法。所述方法包括以下步骤。提供选自硅和硅锗的半导体材料。在所述半导体材料上沉积至少一种硅化物金属。在约400℃到约800℃的温度下，将所述半导体材料和所述至少一种硅化物金属退火小于或等于约10毫秒的时长以形成硅化物。另外还提供了FET器件和用于制造FET器件的方法。
申请人：国际商业机器公司
地址：美国纽约
国籍：US
代理机构：北京市中咨律师事务所
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