天津工业大学教师教学日历
课程名称 微电子学概论 1. 上 课 周 数 15 周 2. 每 周 上 课 时 数 2 学时 课程类别 ○必修 ○限选 任选 3. 总 学 时 30 学时 4. 时 间 分 配 天津工业大学 理、工类 专业 班级 06级本科生 讲 课 27 学时 习 题 课 及 课 堂 讨 论 1 学时 上 机 时 数 学时 实 验 学时 任课教师： 张建新 辅导教师： 现 场 教 学 学时 课 程 设 计 及 作 业 学时 自 学 学时 考 试 及 测 试 2 学时 2008年～2009年第二学期 主 要 教 材（讲义）参 考 书 名 称 主要教材（讲义）语种 编著者 出版（印刷）单位 版本及出版（印刷）时间 2008.7第6次印刷 微电子学概论 汉 张兴 北京大学出版社
学院院长（签字）： 系（室）主任（签字）：
说明：本表一式三份由任课教师在每学期开学后一周填表，系（室）存留一份，其所在学院存留一份，报教务处一份。
微电子概论 汉 汉 汉 郝跃 高等教育出版社 2008.4第2次印刷 2008.3第5次印刷 2006.6第3次印刷 参考书硅集成电路工艺基础 半导体器件物理与工艺 关旭东 北京大学出版社 施敏 苏州大学出版社 课内时数 日期周次教学内容 (教学大纲分章和题目的名称) 第一章 绪论 1.1 晶体管的发明 1.2 集成电路的发展历史 1.3 集成电路的分类 1.4 微电子学的特点 第二章 半导体物理和半导体器件物理基础 2.1 半导体及其基本特性 2.2 半导体中的载流子 2.3 PN结 2.4 双极晶体管 2.5 MOS场效应晶体管 第三章 大规模集成电路基础 3.1 半导体集成电路概述 3.2 双极集成电路基础 3.3 MOS集成电路基础 3.4 BiCMOS集成电路基础 第四章 集成电路制造工艺 4.1 双极集成电路工艺流程 4.2 MOS集成电路工艺流程 4.3 光刻与刻蚀技术 4.4 氧化 4.5 扩散与离子注入 4.6 化学气相淀积(CVD) 4.7 接触和互连 4.8 隔离技术 4.9 封装技术 4.10 集成电路工艺小结(含录像片) 第五章 集成电路设计 5.1 集成电路的设计特点与设计信息描述 5.2 集成电路的设计流程 5.3 集成电路的设计规则 5.4 集成电路的设计方法 5.5 集成电路的设计举例 讲课习题课及课堂讨论 上机时数实验现场教学课程设计及作业 备注3.8 3.15 3.22 3.29 4.5 4.12 4.19 4.26 5.3 5.10 5.17 5.24 1 2 3 4 5 6 7 8 9 自学考试及测验 2 2 2 2 2 2 2 2 2 第六章 集成电路设计的EDA系统 6.1 集成电路设计的RDA系统概述 6.2 系统描述与模拟──VHDL及模拟 10 6.3 综合 6.4 逻辑模拟 6.5 电路模拟 6.6 时序分析和混合模拟 6.7 版图设计的EDA软件 6.8 器件模拟 11 6.9 工艺模拟 6.10 计算机辅助测试(CAT)技术 第七章 几类重要的特种微电子器件 7.1 薄膜晶体管 12 7.2 光电子器件 7.3 CCD器件 2 2 2 5.31 第八章 微机电系统 8.1 微机电系统的基本概念 13 8.2 几种重要的MEMS器件 8.3 MEMS加工工艺 8.4 MEMS技术发展趋势 第九章 微电子技术发展的规律和趋势 9.1 微电子技术发展的一些基本规律 14 9.2 微电子技术发展的一些趋势和展望 复习及习题 2 6.7 6.14
1 1 15 考试 2
