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半导体激光器巴条、半导体激光器单管及其制备方法

来源:化拓教育网
(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(21)申请号 CN201711042022.4 (22)申请日 2017.10.30

(71)申请人 深圳瑞波光电子有限公司 404

(72)发明人 胡海;何晋国;汪卫敏

(74)专利代理机构 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人 何青瓦

地址 518052 广东省深圳市南山区西丽茶光路中10号深圳集成电路设计应用产业园

(10)申请公布号 CN107910748A

(43)申请公布日 2018.04.13

(51)Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

(54)发明名称

半导体激光器巴条、半导体激光器单管及其制备方法

(57)摘要

本发明公开了一种半导体激光器巴条、半

导体激光器单管及其制备方法,半导体激光器巴条,包括:第一型衬底;设置在第一型衬底上的外延层,外延层相对于第一型衬底的表面形成有多个半导体激光器电流注入区,其中多个半导体激光器电流注入区呈阵列分布;及设置在相邻半导体激光器电流注入区对应非出光面侧的边沿之间的隔离槽;其中,至少部分隔离槽为不规则结

构。通过以上方式,本发明能够避免侧面激射现象,以及防止激光器单管侧面解理缺陷向电流注入区延伸导致器件失效问题。

法律状态

法律状态公告日

2018-04-13 2018-04-13 2018-05-08

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效

法律状态

公开 公开

实质审查的生效

权利要求说明书

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说明书

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