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专利名称：非易失性存储器件的编程方法专利类型：发明专利
发明人：李载德,郑舜文,崔正达申请号：CN2009102038.4申请日：20091112公开号：CN101740127A公开日：20100616
摘要：一种非易失性存储器件的编程方法，包括：根据要被编程的数据来浮置被选择存储单元的沟道；以及驱动被选择存储单元和未选择存储单元的字线，以在被选择存储单元和未选择存储单元之间产生栅致漏极泄漏
申请人：三星电子株式会社
地址：韩国京畿道
国籍：KR
代理机构：北京市柳沈律师事务所
代理人：邵亚丽
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