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氧化石墨烯薄膜的后处理方法[发明专利]

来源:化拓教育网
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:氧化石墨烯薄膜的后处理方法专利类型:发明专利发明人:乔帅

申请号:CN201310522483.7申请日:20131030公开号:CN104591147A公开日:20150506

摘要:本发明公开了一种氧化石墨烯薄膜的后处理方法,将氧化石墨烯薄膜在浓度为0.3mol/L的乙醇溶液中还原处理1h,处理温度为60℃,之后用无水乙醇冲洗并晾干;将氧化石墨烯薄膜和还原处理的薄膜进行炭化处理,升温速率为2℃/min,升温至250℃时,停止升温,并保持30min,之后继续以5℃/min的升温速率升至1250—1300℃,得到石墨烯导电薄膜。采用浓度为0.3mol/L的乙醇溶液对氧化石墨烯薄膜进行还原处理,确保氧化石墨烯薄膜的完整性,还原处理后,明显减少了氧化石墨烯薄膜中的官能团,使制备的氧化烯薄膜具有良好的导电性。

申请人:青岛泰浩达碳材料有限公司

地址:266700 山东省青岛市平度市明村镇大南营村

国籍:CN

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