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专利名称：非晶丝磁阻抗传感器以及基于非晶丝磁阻抗效应的
磁场探测方法
专利类型：发明专利发明人：韩喜萍
申请号：CN201010240575.2申请日：20100730公开号：CN101930062A公开日：20101229
摘要：本发明提供了一种非晶丝磁阻抗传感器，包括：非晶丝；信号采样线圈，缠绕在非晶丝上，用于检测外部磁场信息；激励电路，用于直接向非晶丝提供激励信号；和信号采集与处理电路，采集信号采样线圈输出的电压信号并对其进行处理，从而输出直流电压信号，其中，还包括并联谐振电路，由电容(C1)与信号采样线圈并联组成，不仅可以选择出有效电压信号，还可以对所选的有效电压信号进行放大。因此，在本发明的非晶丝磁阻抗传感器中设置并联谐振电路不仅可以实现已知的选频作用，而且还可以实现对所选的有效电压信号进行放大的作用，这样就可以节省信号采集与处理电路中的放大电路部分。本发明还提供了一种基于非晶丝磁阻抗效应的磁场探测方法。
申请人：石家庄吉纳科技有限公司
地址：050000 河北省石家庄市桥东区平安大街1号
国籍：CN
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