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专利名称：一种DTSCR器件专利类型：发明专利发明人：王源,张立忠
申请号：CN2018116024.9申请日：20181229公开号：CN109904215A公开日：20190618
摘要：本发明实施例提供了一种DTSCR器件，包括：P型衬底，所述P型衬底上从左至右依次设置有预设P+掺杂区、预设N+掺杂区以及多个N阱区，所述多个N阱区中的所有N阱区从左至右依次连接；所述预设N+掺杂区的部分区域构成预设N阱区；其中，所述预设P+掺杂区和所述预设N+掺杂区均为源区。本发明实施例提供的一种DTSCR器件，将预设N+掺杂区的部分区域构成预设N阱区，实现了抑制DTSCR的二次触发现象，满足ESD设计要求。而且，还可以通过DTSCR器件中的二极管的数量实现对DTSCR整体触发电压的精确调节，从而满足不同的ESD设计需求。
申请人：北京大学
地址：100871 北京市海淀区颐和园路5号
国籍：CN
代理机构：北京路浩知识产权代理有限公司
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