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・趋势与展望・ Ｈｙｕｎｇ Ｋｉｍ表尔在 』￣Ｃｏｎｓｕｍｅｒ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｈｏｗ 市调机构ｉＳｕｐｐｌｉ顶估，山Ｊ ＭＰ３｝罱放器与丁 中，许多业苦推 采用资料储存技术的新产品，小 机需求上扬，２００６年令球ＮＡＮＤ Ｆ１ ａｓｈ销售 可 管足快『人Ｊ记忆体或是磁碟机。事实上，来自消费 达到１６８．２亿美元，较２００５年成长５６％，２００７午 性电 装置，Ｉ勺强大需求，包括ＭＰ３播放机、数化相 全球ＮＡＮＤ Ｆ】ａｓｈ销售额则将成长３６ ，达２２８． 机与其他消赀性装置，已是带动资料快 记忆体产 ８亿美元，然２００８午可能会萎缩垒２１ ８．４亿美元， 业蓬勃发展的土要冈索，也将使得２００６午仝球ＮＡＮＤ 但２Ｏ０９年可盟再度成长２０％，达２６２．１亿美元。 ＦＩ ａｓｈ销售 可望增长５６％。 Ｍ Ｐ ３播放机、数 相机与其他消费性 置为 ＮＡＮＤ Ｆｌａｓｈ蓬勃发展主网 资料快 体（ｄａｔａ ｆ］ａｓｈ）主要足包含ＮＡＮＤ 元件，带动这个 。业成Ｋ的产品主要的就是消货性 电 、无线通讯装置与ｒ机。 ２００５年Ａｐｐ ｌ ０为 了取代ｉ Ｐ０ｄ １１１ｉｎｉ（采用体 人的磁碟机）Ｉ而推 出的ｉＰｏｄ Ｎａｎｏ，山于采用精巧的ＮＡＮＤ Ｆ１ａｓｈ而 惊艳了全球记忆体市场，这个单一产品让２００５午 伞球快『人Ｊ 体在资料上的应用推升到１０８亿美元 的舰模，比２００４年度的６６亿４０００力 美元成长Ｊ， ６ ３％。三早快『人Ｊ记忆体行销削总巴余斯 （Ｄ ０ ｎ Ｂ ａ ｒ ｎ ｅ ｔ ｓ ｏ ｎ） 扎斯维加斯消赞电了展 （ＣＥｓ）会场接受访问时说：“２００４年ＭＰ ３播放机 约屹下１８％的ＮＡＮＤ快ｌ＾Ｊ记忆品片ｒ｝丁场供应帚，２００５ 午占枢体『 场的比率可能升高到２９％，反映ｉＰｏｄ等 装置的销售激增；ＮＡＮＤ的销售成Ｋ速度比整体ｒ｝丁场 快很多。我们相信，就ＭＰ３播放机而青，２００６会 是另一个丰收年。”，史是一语道出２Ｏ０５午的ＭＰ３ ｝蒲放机到２００６年仍将是记忆体Ｉ１ 场的热门产『口。 ｒ ２００６午Ｔ：－￣ＪＬ与＿『Ｉ持式游戏机可望持续带动 ＮＡＮＤ Ｆｌａｓｈ需求，使得ｉ Ｓｕｐｐｌｉ预估２００６午内 建Ｆｌ Ｅｔｓｈ记忆体卡的ｒ机出货黾可 达到２。７８亿 支，不但较２００５年成长２３％，也使于机成为最主 要的ＮＡＮＤ Ｆｌａｓｈ 用产品。主要也足山于行动 电话销路畅 也会助长ＮＡＮＤ品片的需求，而第三 代（：｛Ｇ）行动电信Ｊ｛｝ｉ务使用率的普及，史．止消费 者为Ｉ厂把影音档下载 下机，对于资料储存的需求 罩亦更人。 而在新兴消费性电了产品方向，…于 丰耍游戏机ｌ 场』‘商可能会在２００６午下半推出内建 ＮＡＮＤ Ｆｌａｓｈ的次世代游戏机，以及 足定位装置 （ＧＰ Ｓ）、次世代Ｐ【］Ａ与数位机上盒（Ｓ ＴＢ）等产 。。ｌｌｌｌ丌始大帚采用ＮＡＮＤＦ Ｉ ａｓｈ，也将使得此ｌｌＪ场注入 许多的新应刖。 打 璞亦观察到几项主要的终端产ｌ口１如数付相机、 ｒ机、随身碟等其需求的似元成长率在２００６和２００７ 仍甲高成长态势，故划于此市场的 ，』景持Ｉ。分乐观 的看法。 ｌ Ｍ Ｅ Ｍ Ｓ技术的应用领域 Ｉ 微机电系统将微电ｒ技术和精密机械ｌＪｊＵＴ技术 融合在一起，实现了微电了与机械融为一体，Ｉ勺系统。 目前，ＭＥＭＳ技术 Ｌ乎可以应用ｒ 所有的行业 域，而 它与 同的技术结合，往往便会产牛一种新 的 ＭＥＭＳ器件。根据目前的研究情况，除了进行信Ｉ々－Ｊ 处 理的集成电路部什以外，微机电系统内部包含的单 元主要有以下几人类： （１）微传感器 传感器种类很多，ｉ要包括 【械类、磁学类、 热学类、化学类、生物学类等等，每一炎中又包含 有很多种。例如机械类ｌ｝ｌＪ又包括力学、力矩、ＪＪｌＪ速 度、迎度、角速度（陀螺）、化置、流罩传感器 等，化学类中又包括气体成分、湿度、Ｐ Ｈ值和．吗 浓度传感器等。 （２）微执行器 主要包括微马达、微齿轮、微泉、微阀门、 微丌关、微喷射器、微扬声器、微谐振器等。 （３）微型构件 三维微掣构件土耍包括微膜、微梁、微探针、 微齿轮、微弹簧、微 、微沟道、微锥体、微 轴、微连杆等。 （４）微机械光学器件 利用ＭＥＭＳ技术制作的光学元件及器件，目前 制各 的微光学器件主要有微镜阵列、微光扫描器、 微光阀、微斩光器、微卜涉仪、微光丌关、微可变 维普资讯 http://www.cqvip.com
・趋势与展望・ ｐ蚰ｌｃｌ 馕融粕 蚓墅 岫 雠釉 ■圈ｊ■＿ 术ｎ勺广泛 瑚提供 难得的机遇。山于我国电子信 息产业发展受原材料小断涨价、人民币Ｙｌ‘值、企业 拖／人货款、贷款利率Ｌ调和ｆ｛』场竞争ＬＩ趋激烈等 别是困家和企、 埘信息技术应用的投入 足，商业 焦透镜、微外腑激光器、光编 器等。 （５）真空微电 器件 它是微电了技术、ＭＥＭＳ技术和真空电了 发展 的产物，是一种 真空电了输运器件ｆ向新技术，采 冈素的影响， 行业收入增幅趋缓，利润下滑；特 用己有ｎ勺微细ＪＪ Ｉ 艺侄芯片Ｉ：制造集成化的微 真空电了Ｉ ＾；或真窄集成电路。它主要山场致发刺阵 忡贷款困舴，企、『ｋ资金刷转爪力叫显增大，使信息 列刚极、阳极、两电极之 的绝缘层和真空微腔组 成。山于电了输运存真 中进行，冈此 囱 极快的 丌关速度、ｑｌ 常好的抗辎照能力和极仕的￣Ｊ…ｉＪ＇ｔｔＬ度特性。 ６，』研究较多的真 微电 器件ｔ耍也括场发射 ，Ｊ 器、场发射照叫器件、 空微电了毫米波 什、真 微电 传感器等。 （６）电力电了器件 主要包括利用ＭＥＭＳ技术制作的乖直导电 ＭＯＳ （ＶＭ０Ｓ）器件、Ｖ 槽 卣导电 Ｍ０Ｓ（ＶＶｍ０Ｓ） 器件等并类高Ｊ１ 大电流器件。 ＭＥＭＳ器什干¨系统儿宵体积小、重旱轻、功耗 低、成本低、可靠性高、件能优 、功能强大、几Ｊ 批帚牛产等传统传感器无法比拟的优点，ｌ大１此住航空、 航天、汽乍、生物医学、 境１ 控、 事以及几乎人 们接触到的所有领域－ｔＩ都有着Ｉ 分广阔的Ｊ 用６ｌ，』景。 ５年５ Ｏ ０亿元支持信息产 业创新发展 ２００５年ｌ２月２ｌ Ｕ，信息产业部 围家肝发银 行 北京举行《支持电了信息产业发展和信息技术 应＿Ｈ＿Ｊ丌发性金融合作协议》签宁仪式。 根ｊ＝皆协议， ：５年合作期内围家丌发银行安排 ５００亿元人民币额度，支持电了信息产业发展和信息 技术 川。丌发性金融合作ｆ办议的签订，把信息产 、ｌ 邮的干『业管理Ｌｊ项 织推荐优势 田家Ｊｌ：发银 行的融资优势有机地结合起米，这对于落文党的Ｉ‘ 六 ｆ 中仝会利，ＪＩ火经济¨Ｊ．作会议精神，力Ｊ】快电ｒ 信息产业发展利信息技术『Ｊ勺广泛应用，促进经济结 构凋 和增长力‘式转变， 仃ｌ‘分 爱的意义。 “十一 ”时期是我国信息产 发 ｎ勺父键时 期，国民经济与社会发展的广泛需求以及 球信息 ｉｔＪ场的扩人，为我国电了信息产 『勺发展剌信息技 技术的广泛 川与信息化重大Ｔ程的实施受到投资 足ｆ门制约，影响进 步发展。为此，两部门经过 两午多ｆ门ｆ＝；ｆ｛入调研干¨反复磋商，达成共以，签署了 合作 议。 信息产、 部将根据电了信息产业发展与信息技 ｌ术应用的重点及相关企、Ｉ 刈‘资金的需求，择优给予 推荐；困家丌发银行将审贷、ｆ 场化返作。 丌发性金融合作的实质，是通过的行业管 理与项目组织推荐优势￣ｒｌ：ｊｆ：发银行的融资推动优势， 从礼会建设入丁，推进ｌ 场建设、信用建设和制度 建设，最终达到促进健康发展的Ｈ的。国家７ｆ：发银 行近年来在大力支持基础设施、基础产、ｆ 支柱产 ￣ｌｋ４：ｒｉ经济什会新的瓶颈领域的发展ｆ 同时，保持着 较岛的资产质骨：，这ｔ要是丌发性金融合作所推进 的巾场建设取得的成果。 根据ＩＤ，、议，信息产业部与围家丌发银行将成 支持电ｒ信息产业发展与信息技术应用协调小组， 山信息产业部副娄勤俭和丌发银干『副行长姚中 民任纰ｋ；５）－￣ｔｌ７＇ｉ！信息产业部电 信息产品管 刊 利 家丌发恨行业务发展局嫂 办公室，负责贳彻 落实协调小组的指示，水办Ｌｊ常贝体Ｔ作，以便更 好地为企业服务，同时协调本系统内Ｔ作。日前 作已经启动。 Ｒ Ｆ Ｍ Ｄ拓展中国封装厂规 射频集成电路供应商ＲＦ Ｍｉｃ ＦＯ Ｄｅｖｉｃｅｓ公吲 （ＲＦＭＩ））宜 ，该公一Ｊ董事会己批准其ＲＦＭＤ封装Ｔ Ｊ ｎ勺拓展，该拓展讣划于２００６年第一季度丌始实施。 公・ｄ顺计这次拓展将使ＲＦＭＤ的封装产能提高近５０％， Ｊ 这提岛的部分ｆ 该公ｉ ｄ封装需求的大约２５％。
