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专利名称：一种辐射不敏感单模光纤专利类型：发明专利
发明人：彭楚宇,赵梓森,喻煌,何茂友,骆城,曲华昕,叶子涵,李
星,岳静
申请号：CN201911140954.1申请日：20191120公开号：CN112824943A公开日：20210521
摘要：本发明公开了一种辐射不敏感单模光纤，涉及耐辐射光纤领域，该光纤由内至外依次包括：纤芯、过渡包层、下陷包层和外包层；其中，所述纤芯和所述过渡包层均包含掺氟元素的石英材料；所述下陷包层和所述外包层均包含氟元素与耐辐射金属离子共掺的石英材料。本发明提供的辐射不敏感单模光纤不仅具有较低的本征损耗，并且对于总剂量为2MGy内的稳态γ辐射具有良好的辐射耐受性。此外，本发明提供的辐射不敏感单模光纤对85℃温度下的干热老化环境或湿度为85％、温度为85℃下的湿热老化环境具有较强的稳定性，可以克服传统光纤在热核辐射环境下易大幅产生辐致损耗的缺点。
申请人：烽火通信科技股份有限公司,烽火藤仓光纤科技有限公司
地址：430000 湖北省武汉市东湖高新技术开发区高新四路6号
国籍：CN
代理机构：武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人：董婕
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