ITO薄膜及其制造方法
来源：化拓教育网
（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利申请
（21）申请号 CN200480024772.3 （22）申请日 2004.08.26
（71）申请人 独立行政法人科学技术振兴机构
地址 日本埼玉县
（10）申请公布号 CN1842492A （43）申请公布日 2006.10.04
（72）发明人 藤田安彦
（74）专利代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 秦晨
（51）Int.CI
C01G15/00; C01G19/00; H01B5/14; H01B13/00;
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
ITO薄膜及其制造方法
（57）摘要
一种新型在衬底上形成并含原子百分比浓
度为0.6到2.8％锡的ITO薄膜。该ITO薄膜可用作透明导电膜。一种制造ITO薄膜的方法包括将将铟盐与锡盐混合溶液喷雾到大气中衬底上的步骤。二氯化锡被用作锡盐，乙醇溶液被用作盐
溶液。低锡浓度(原子百分比浓度为0.6，1.3，2.8％)的ITO薄膜在长波长区域(λ
500到
1000nm)展示出显著的减小的吸收系数。ITO薄膜实现了低电阻率(约1.7×10
法律状态
法律状态公告日
2006-10-04 2006-12-06 2008-04-02
法律状态信息
公开
实质审查的生效
发明专利申请公布后的视为撤回
法律状态
公开
实质审查的生效
发明专利申请公布后的视为撤回
权利要求说明书
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说明书
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