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1.半导体是一种导电能力介于________与________之间的物质 。 2.当外界温度、光照等发生变化时，半导体的______能力会发生很大变化。

3.N型半导体主要靠_______导电，P型半导体主要靠______导电 。 4.PN结正向偏置是将P区接电源的______极，N区接电源的_____极。

5.在常温下，硅二极管的死区电压约为______V，导通后在较大电流下的正向压降约为________V，锗二极管的死区电压约为_______V，导通后在较大电流下的正向压降约为_______V。

6.单相半波整流电路中，利用二极管的______________特性，可以将正弦交流电变成单方向脉动的直流电。

7.当加在二极管两端的反向电压过高时，二极管会被________。 8.硅稳压二极管主要工作在______________区。

9.用指针式万用表的两表棒分别接触一个二极管的两端，当测得的电阻值较小时，黑表笔所接触的一端是二极管的________极。 10.判断下图所示各电路中二极管是导通还是截止，并求出AB两端电压UAB（设二极管均为理想二极管）

UAB_______UAB_______。

。

图a：VD_______，图b：VD_______，

图c：VD_______，UAB_______。 图d：VD_______，UAB_______。

二、选择填空 （将正确答案代号填入空格内）

1.N型半导体_______。（a．带正电；b．带负电；c．呈电中性）

2.杂质半导体中多子浓度主要取决于________，少子浓度取决于_________。（a．掺入的杂质数量；b．环境温度；c．掺杂工艺） 3.PN结反向偏置时，其耗尽层会________。（a．不变；b．变窄；c．变宽 ）

4.当温度升高时，二极管的正向压降_______，反向击穿电压________，反向饱和电流______。（a．增大；b．减小；c．不变） 5.万用表不同欧姆档测量同一只二极管时，所测得的阻值不同，究其原因是_______。（a. 二极管的质量差；b．万用表不同欧姆档有不同的内阻；c．二极管有非线性的伏安特性）

6.用万用表的“R×1K”档和“R×100”档测量同一个二极管的正向电阻，两次测得的值分别是R1和R2则两者相比_______ （a.R1＞R2；b.R1＜R2；c.R1=R2；d..说不定）

7.光电二极管在电路中使用时，应（a.正向连接；b.反向连接；c.根据具体情况而定）

8.单色发光二极管的两根引脚不一般长，长引脚为二极管的（a.正极；b.负极；c.无法确定） 三、分析及计算

1.限幅电路如图所示，ui=2sinωt，V1、V2均为硅管，导通电压为0.7V

试根据输入电压波形画出输出电压波形（必须考虑二极管的导通电压）。

uo/v

t/s

2.若稳压二极管V1和V2的稳定电压分别为6V和10V路的输出电压uO（忽略二极管正向导通电压）。

求图示电

3.在如图所示的发光二极管的应用电路中，若输入电压UI=1.0V，试问发光二极管是否发光，为什么？

一、填空

1.三极管具有电流放大作用的内部条件是：_______区很薄；_______区的多数载流子的浓度较高；______区的面积较大。

2.三极管具有放大作用的外部条件是：_______结正向偏置；________结反向偏置。

3.三极管的工作有赖于两种载流子自由电子和空穴，因此又称它为_______晶体三极管。

4．处于放大状态的NPN型晶体管，UB、UC、UE三个电位之间的关系是_______，处于饱和状态的NPN型晶体管UB、UC、UE三个电位之间的关系是_______。

5.三极管正常放大时，发射结的导通压降变化不大，小功率硅管约为_____V，锗管约为______V。

6.三极管的输出特性曲线可分为三个区域。当三极管工作在_______区时，关系式IC≈βIB才成 立；当三极管工作在______区时，IC≈0；当三极管工作在_______区时UCE≈0。

7.若某三极管的管压降UCE保持不变，当测得IB＝30μA时，Ic＝1．2mA，则发射极电流IE＝______mA；如果IB增大到50μA时，Ic增加到2μA，则三极管的电流放大系数β=_______

8.多级放大器常用的级间耦合方式有___________、____________、和___________三种形式。

9.在多级放大电路中，后级的输人电阻是前级的___________，而前级的输出电阻则可视为后级的______________。

二、选择填空 （将正确答案代号填入空格内）

1.当三极管的两个PN结都反偏时，则三极管处于_______，当三极管的两个PN结一个正偏另一个反偏时，则三极管处于_______，当三极管的两个PN结都正偏时，则三极管处于______。(a. 截止状态；b2.．饱和状态；大器件时，应选用有三只三极管，除c．放大状态）______β和

管为好。ICEO不同外，其余参数大致相同，用作放（a．β=50，ICEO＝10μA；b．β=150，ICEO＝200μA；c．β= 10，ICEO＝5μA）

3.温度升高时，三极管的电流放大系数β将______，穿透电流ICEO将_______，发射结电压UBE将________。（a．变大；b．变小；c．不变）

4.在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中：希望既能放大电压，又能放大电流应选用_________________组态；希望输出电压与输入电压同相，可选用______________组态；希望带负载能力强，应选用_________________组态。（a．共射；b．共集；c．共基） 5.放大电路如下图(a)所示，当输入交流信号时，出现图（b）的输出波形，试判断是_______失真；（a．饱和；b．截止；c．无法确定）可采用_______方法使其不失真。（a．增大Rb；b．减小Rb；c．减小Rc；d．增大Rc） ＋UCCRPuo

RRcb＋ ＋C＋ ＋2OuCu ti1o

－－

(a)(b)

三、判断下列说法是否正确，正确的在括号中画√，错误的画×。 1.利用微变等效电路，可以很方便地分析计算小信号输人时的静态

2．三极管的输入电阻rbe是一个动态电阻，故与静态工作点无关。 工作点。 （ ）

（ ）

3.在固定偏置共射极放大电路中，为得到较高的输入电阻，在Rb

固定不变的条件下，晶体管的β应该尽可能大些。 （ ）

4.在固定偏置共射极放大电路中，若晶体管β增大一倍，则电压放大倍数也将相应增大一倍。 （ ）

5.电压放大器的输出电阻越小，意味着放大器带负载的能力就越强。 （ ）

6.直接耦合放大电路只能放大直流信号，不能放大交流信号 。 （ ） 四、计算

1.在放大电路如图所示。调节电位器可调整放大器的静态工作点。 （l）如果要求ICQ= 2mA，问RB值应多大？

（2）如果要求UCEQ＝4.5V，问RB值又应多大？

2.在图所示放大电路中，设三极管的β=30，UBEQ＝0.7V。 1)估算静态工件点， 2)画出微变等效电路

3)求电压放大倍数Au，输入电阻ri和输出电阻ro。