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专利名称:高导热型功率整流半导体器件专利类型:实用新型专利
发明人:胡乃仁,杨小平,李国发,钟利强申请号:CN2013201354.2申请日:20130322公开号:CN203277352U公开日:20131106
摘要:本实用新型公开一种高导热型功率整流半导体器件,包括整流芯片、包覆于整流芯片四周的环氧树脂层、导电基盘和导电焊盘,所述导电基盘由散热区和基盘引脚区组成,此基盘引脚区由若干个相间排列的负极引脚组成,此负极引脚一端与散热区端面电连接,所述散热区位于整流芯片正下方且与整流芯片下表面之间通过软焊料层电连接;所述导电焊盘位于整流芯片另一侧,导电焊盘包括焊接区和至少两个引脚;一铝导体带跨接于所述整流芯片的正极与导电焊盘的焊接区之间。本实用新型有利于进一步缩小器件的体积,同时减少封装体中部件的数目;且充分考虑到整流芯片正极和负极电流大的特定,从而有利于减少热量的产生,并进一步提高了电性能指标。
申请人:苏州固锝电子股份有限公司
地址:215153 江苏省苏州市新区通安经济开发区通锡路31号
国籍:CN
代理机构:苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人:马明渡
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