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专利名称：一种半导体器件专利类型：实用新型专利发明人：吴秉桓
申请号：CN201922203603.2申请日：20191210公开号：CN211017077U公开日：20200714
摘要：本实用新型涉及一种半导体器件。包括：衬底，所述衬底上形成有存储单元阵列区，所述存储单元阵列区形成有间隔排布的字线沟槽；字线导电结构，字线导电结构包括字线接触部的字线导电结构和字线接触部之外的字线导电结构；其中，字线接触部的字线导电结构的厚度大于字线接触部之外的字线导电结构的厚度。通过形成字线接触部的字线导电结构的厚度大于字线接触部之外的字线导电结构的厚度的字线导电结构，降低了字线接触结构中字线接触孔的开窗位置深度，减少了形成接触孔工艺制程中的工艺时间，降低了接触孔工艺制程中对接触孔开窗深度较浅的接触孔的侧壁的过度侵蚀，避免了接触孔异常引起的器件短路异常。
申请人：长鑫存储技术有限公司
地址：230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
国籍：CN
代理机构：广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人：虞凌霄
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