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专利名称：一种半导体器件专利类型：实用新型专利发明人：M.菲莱迈耶,R.西米尼克申请号：CN201320118025.2申请日：20130315公开号：CN203250746U公开日：20131023
摘要：本实用新型公开了一种半导体器件,该器件包括:半导体本体，其包括:漏极区;至少两个沟槽和所述沟槽之间的台面区，其中，所述台面区包括上部分和下部分，所述上部分比所述下部分宽；所述下部分中的具有第一导电类型的漂移区；在所述上部分中的具有第一导电类型的源极区和形成在所述源极区与所述漂移区之间的具有与所述第一导电类型互补的第二导电类型的本体区；以及形成于所述本体区和所述漂移区之间的具有第一导电类型的过渡区,其中所述过渡区具有比所述漂移区重的掺杂。
申请人：英飞凌科技奥地利有限公司
地址：奥地利菲拉赫
国籍：AT
代理机构：中国专利代理()有限公司
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