专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：一种GaN器件原位生长石墨烯掩埋电极结构专利类型：实用新型专利
发明人：袁俊,李百泉,倪炜江,张敬伟,牛喜平,李明山,卢小东申请号：CN201720702915.6申请日：20170616公开号：CN207068797U公开日：20180302
摘要：本实用新型公开了一种GaN器件原位生长石墨烯掩埋电极结构，所述电极结构包括衬底和依次向上生长的AlN成核层、GaN缓冲层和器件外延构造层；其中，所述衬底和所述AlN成核层之间从下至上还依次生成有AlN隔离层、金属催化层和石墨烯掩埋散热层；所述石墨烯掩埋散热层与源极通过金属连接，与背板和热沉通过金属连接，此外，本实用新型还公开了该电极结构的制备方法。本实用新型的新型器件结构避免了背面深孔刻蚀的复杂工艺，可以实现正面直接源接地，同时利用石墨烯优越的热导率迅速将器件有源区产生的热量导走，可以有助于实现大功率GaN器件，增长器件的高温可靠性。
申请人：北京华进创威电子有限公司
地址：100176 北京市大兴区经济技术开发区通惠干渠路17号院
国籍：CN
代理机构：北京中创阳光知识产权代理有限责任公司
代理人：张宇锋
更多信息请下载全文后查看
