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专利名称：在衬底上制备GaN纳米线的方法专利类型：发明专利
发明人：刘志强,伍绍腾,伊晓燕,黄洋,程成,王蕴玉,綦成林申请号：CN201710969740.X申请日：20171018公开号：CN107910243A公开日：20180413
摘要：本发明提供一种在衬底上制备GaN纳米线的方法，包括以下步骤：步骤1：清洗衬底；步骤2：在衬底上镀一层Ni和Au金属；步骤3：将镀有Ni和Au金属的衬底放入HVPE外延设备的反应室中，将反应室升温；步骤4：向反应室中通入反应气体，在衬底上生长GaN纳米线；步骤5：关闭通入的反应气体，将衬底降温，完成制备。本发明处理工艺简单，大大的降低了生长成本；生长的温度为高温，大大提高晶体质量；纳米线方向具有一定的可控性，有利于后续器件制备。
申请人：中国科学院半导体研究所
地址：100083 北京市海淀区清华东路甲35号
国籍：CN
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：汤宝平
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