特性
频率范围：300MHz ~ 450MHz 电压范围：2.6V ~ 5.5V 接收灵敏度：
-110dBm (315MHz) -110dBm (433.92MHz) 低功耗：
典型3.5mA (315MHz) 典型4.6mA (433.92MHz) 典型0.8uA (关断模式) 无AGC电容
调制数据速率达到10kbps 非常少的外部器件数 SOP-8封装
描述
SYN590R 是SYNOXO全新开发设计的一款低功耗，高性能，无AGC外接电容，灵敏度达到-110dBm，300MHz-450MHz频率范围应用的单芯片ASK或OOK射频接收器。 SYN590R 是一款真正意义上的“天线输入，数据输出”的即插即用型单片集成电路器件，该芯片具有2.6V ~ 5.5V较宽的电源电压应用范围，支持最大10kbps数据率的典型1527，2262以及自定义等编码方式。所有射频和中频调谐，以及自动增益控制系统（AGC）都在芯片内部自动完成，不需要片外调整，从而降低了产品的可靠性和开发成本。 SYN590R在5V下1KHz方波调制工作315MHz时仅需3.5mA电流, 433.92MHz时仅需4.6mA电流。
SYN590R是SOP-8封装类型，应用时仅需ANT阻抗匹配网络，VDD退耦电容和CTH外接电容，无需AGC外接电容，从而降低产品的应用成本。
SYN590R产品兼容SYNOXO的SYN580R产品。
应用
远程控制系统 遥控报警器 遥控玩具 遥控家居
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典型应用
SYN590R - 433.92MHz, 1Kbps数据速率应用电路
引脚配置
VSSRFANTVDDRFCTH12348765REFOSCNCSHUTDO
SYN590R SOP-8封装
引脚描述
引脚号 1 2 3 4 5 6 7 8 引脚名称 VSSRF ANT VDDRF CTH DO SHUT NC REFOSC I/O I I I IO O I --- I 地输入。 天线脚：射频信号输入，需要良好的阻抗匹配网络以达到高灵敏度。 电源输入。 CTH电容脚:外接合适电容用于产生内部数据比较器的剪波电平。 数据输出。 关断控制脚：接电源电平进入关断模式；接地电平进入工作模式。 无内部连接。 晶振振荡器输入或外部参考时钟输入脚。 引脚描述
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最大极限参数
电源电压……………………..6V
输入电压………………..……6V
储藏温度范围………….…-65°C to 150°C 芯片温度………………………………150°C 封装引脚温度………………………...260°C
工作参数 电源电压…….…2.6V to 5.5V
输入最大电压………....…5.5V
环境温度范围……….….….-40°C to 85°C
电气特性
VDD = 5V, CTH = 0.1μF, 1Kbps 数据速率(BER=10E-2), 常温 25°C。
接收机
Symbol fRX PIN,MAX PSENS fIF fBW Parameter 频率范围 最大输入功率 灵敏度 镜像抑制 中频信号频率 中频信号带宽 编码调制占空比范围 Conditions fRX = 315MHz fRX = 433.92MHz fRX = 315MHz fRX = 433.92MHz fRX = 315MHz fRX = 433.92MHz fRX = 315MHz fRX = 433.92MHz 20 Min. Typ. 300 to 450 -110 -110 30 30 0.900 1.239 450 580 10 80 Max. Units MHz dBm dBm dBm dB dB MHz MHz KHz KHz % 晶振
Symbol fOSC IOSCSC Parameter 频率 偏置电流 Conditions fRX = 315MHz fRX = 433.92MHz V(RO) = 0V Min. Typ. 9.81563 13.52127 7.5 Max. Units MHz MHz μA 数据输出驱动
Symbol TRISE TFALL Parameter 输出电流 输出上升下降时间 Conditions Source @ 0.8VDD Sink @ 0.2 VDD CL = 15pF, pin DO, 10-90% Min. Typ. 590 850 1.2 1 Max. Units μA μA μsec μsec - 3 -
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电源功耗
Symbol ICC IOFF
Parameter 工作电流 关断模式电流 Conditions fRX = 315MHz fRX = 433.92MHz SHUT = High Min. Typ. 3.5 4.6 0.8 Max. Units mA mA μA 系统结构图
Digital AGCANTLNAImageReject BPFIF AMPsPeakDetectorLPFDOComparatorDOCTHSliceLevelLogicPORBandgapBiasRO1REFOSCPLL&LOGeneratorSHUTVDDRFVSSRF
Figure 1 系统结构图
功能描述
Figure 1表述了SYN590R的系统结构，由以下几个电路模块组成：低噪声放大器，混频器，镜像抑制带通滤波器，中频放大器，峰值检测器，低通滤波器，数字自动增益控制，DO输出比较器，剪波电平电路，晶体振荡器电路，频率合成器和本地振荡器电路，电压参考和偏置电路，以及控制逻辑电路。
接收机
射频输入信号通过AC耦合进入低噪声放大器电路，该放大器使用了高性能的Cascoded NMOS 结构。低噪声放大器将输出信号与本地振荡器信号送入I/Q两路混频器进行下变频混频操作，镜像抑制带通滤波器进行滤波处理，抑制混频镜像频率能力达到30dB，中频放大器将信号进行多级放大后，完成射频信号至中频信号下变频操作。
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解调器
中频信号经过峰值检测器和低通滤波器之后完成调制信号的包络解调，剪波电平电路外接合适的CTH电容将解调出的包络信号变为稳定的包络中间电平信号，再与包络信号进行比较而输出准确的解调数据，完成解码功能。
数字自动增益控制
自动增益控制电路监测低通滤波器输出的包络信号幅度，通过内置AGC特有算法实时调节LNA和IF AMPs电路的增益，以获得稳定的系统增益线性度和高性能的灵敏度。
晶体振荡器
SYN590R 使用了基本的Colpitts结构晶振电路。将外部负载电容内置于芯片内部，只需要外接合适频率的晶体振荡器即可提供准确的参考时钟。 晶振频率选择通过如下公式进行计算：
FOSC = FRF/(32+1.1/12). 对于433.92MHz, FOSC = 13.52127MHz.
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封装描述
Figure 2 SOP-8 封装尺寸
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