电子技术第一二章考试题
一、选择题（2×7=14分）
1、多级放大电路总放大倍数是各级放大倍数的（ ） A .和 B.差 C.积 D.商
2、一个NPN型晶体管在电路中正常工作，现测的UBE>0,UBC<0,UCE>0则此管工作区为（ ） A.饱和区 B.截止区 C.放大区
3、满足IC =βIb的关系时，晶体三极管工作在（ ） A.饱和区 B.放大区 C.截止区
4、用万用表R×1KΩ档测量一只正常的三极管，若用红表棒接触一只管脚，黑表棒分别接触另外俩只管脚时测得的电阻均很大，则该三极管是（ ） A.PNP型 B.NPN型 C.无法确定
5、放大电路中的饱和失真与截止失真称为（ ） A.线性失真 B.非线性失真 C.交越失真
6、要降低放大器的输入电阻，并且使带负载能力提高，可以采用（ ） A.电压串联负反馈 B.电压并联负反馈 C.电流串联负反馈 7、射极输出器有（ ）
A.电压放大作用 B.电流放大作用 C.电压、电流放大作用
二、判断题：（2×10=20分）
1、串联负反馈使放大器输入电阻降低，并联负反馈使放大器输入电阻增大。………………………（ ） 2、阻容耦合方式把前后级的交、直流都隔离开。…………………………………………………………（ ） 3、多级放大器的放大倍数为各级放大器倍数之和。……………………………………………………（ ） 4、判断正负反馈可用瞬时极性法。………………………………………………………………………（ ） 5、负反馈以牺牲放大倍数为代价，来换取放大器性能指标的改善。……………………………………（ ） 6、输出端引入电流负反馈后，能稳定输出电流。…………………………………………………………（ ） 7、已知某三极管的射极电流IE=1.36mA，集电极电流IC=1.33mA，则基极电流Ib=30μΑ。…………………………………………………………………………………………………………（ ） 8、晶体二极管击穿后立即烧毁。…………………………………………………………………………（ ） 9、为使晶体管处于放大工作状态，其发射结应加反向电压，集电结应加正向电压。…………………………………………………………………………………………………………（ ） 10、在N型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。………………………………（ ）
三、填空题：（2×15=30分）
1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为 和 三类。
2、PN结具有 性能，既加正向电压时PN结 ，加反向电压时 。 3、某晶体管三极管的Uce不变，基极电流Ib=30微安，IC=1.2毫安，三极管的电流放大系数β= ，发射极电流IE= 毫安，如果基极电流Ib增大到50微安时，IC增大到2毫安，则发射极电流IE= 毫安，三极管的电流放大系数β= 。
4、二极管的正极是由其内部PN的 区引出的，二极管的正极又称 极。
5、二极管的主要特性是 ，硅二极管死区电压约 V，锗二极管死区电压约 V。
四、计算题：（36分）
1、在如图所示电路中，设二极管正向压降和反向压降均可忽略，判断图中二极管是导通还是截止，并求输出电压Uab。（12分）
2、如图所示判断反馈类型（3分）
3、在图中已知UCC=9V,RB=150kΩ, RC=1.5 kΩ，用图解法、估算法两种方法求静态工作点。（21分）
