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专利名称：源漏极离子注入偏差的监控结构和监控方法专利类型：发明专利
发明人：范荣伟,陈宏璘,龙吟,顾晓芳,王恺申请号：CN201410692944.X申请日：20141126公开号：CN104465439A公开日：20150325
摘要：本发明提供一种源漏极离子注入偏差的监控结构和监控方法，通过在产品硅片的非功能区域中设置监控结构，并在该监控结构中的有源区中部分注入P型源漏离子，从而在监控结构中的部分区域形成P型源漏区，通过该P型源漏区中的接触孔与该P型源漏区外的接触孔在电子束扫描影像中的明暗的不同，从而当P型源漏离子工艺发生偏移导致P型源漏区的平面图形发生变化时，能够精确的通过接触孔的明暗的变化来确定离子注入工艺的偏差量。
申请人：上海华力微电子有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
国籍：CN
代理机构：上海申新律师事务所
代理人：吴俊
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