薄膜高密度互连技术及其应用

第６巷．第４期　电子与封装　Ｖｏｌ　６　ＮＯ　４　总第３６期　ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ＆ＰＡＣＫＡＧＩＮＧ　２００６年４月　综　述　薄膜高密度互连技术及其应用　云振新　（围营９７０厂，四川成都６１００５１）　摘　要：高密度互连（ＨＤＩ）基片在微电子集成技术中用来缩小尺寸、减轻重量和提高电气性能。　薄膜技术是获得高密度互连的最佳技术。文章介绍了薄膜高密度互连技术的概念、特点、设计与工艺考　虑，并指出其主要领域的应用情况。　关键词：高密度互连；薄膜技术；淀积薄膜型多芯片组件　中图分类号：ＴＮ４０５．９７　文献标识码：Ａ　文章编号：１６８１—１０７０（２００６）０４—０１－０５　Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｈｉｇｈ—Ｄｅｎｓｉｔｙ　Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ（ＨＤＩ）Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　ａｎｄ　Ｉｔｓ　Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ　Ｙｕｎ　Ｚｈｅｎ—ｘｉｎ　（Ｓｔａｔｅ　Ｏｗｎｅｄ　Ｎｏ　９７０　Ｆａｃｔｏｒｙ．Ｃｈｅｎｇｄｕ　Ｓｉｃｈｕａｎ　６１００５１．Ｃｈｉｎａ　１　Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｃｏｎｃｅｐｔｓ　ａｎｄ　ｆｅａｔｕｒｅｓ　ａｎｄ　ｃｏｎｓｉｄｅｒａｔｉｏｎｓ　ｆｏｒ　ｄｅｓｉｇｎ　ａｎｄ　ｐｒｏｃｅｓｓ　ｏｆ　Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｈｉｇｈ－Ｄｅｎｓｉｔｙ　Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ（ＨＤＩ）Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　ａｒｅ　ｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄ．Ｉｔｓ　ｍａｉｎ　Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ　ａｒｅ　ａｌｓｏ　ｄｅｓｃｒｉｂｅｄ．　Ｋｅｙ　ｗｏｒｄｓ：Ｈｉｇｈ—Ｄｅｎｓｉｔｙ　Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ（ＨＤＩ）；Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ；ＭＣＭ—Ｄ　术还能制造高质量的集成无源元件，包括电阻器、电　１　引言　容器、电感器和各种传输线。薄膜多层高密度互连结　构不仅尺寸小、互连密度高，而且具有优异的高频性　现代电子装置对小型化、轻量化、高性能化、多　能。薄膜高密度互连技术是一种应用广泛的小型化集　功能化、低功耗化和低成本化的要求不断提高且日益　成技术，更是实现ＲＦ电路和微波电路低成本集成的一　迫切。手机等便携式电子装置是体现这些要求的典型　种优先解决方案。　例子。现代电子装置的需求推动微电子集成技术迅速　发展，系统　片（ＳｏＣ）、系统级封装（ＳＩＰ）、多　２　概述　］　［　］　芯片组件（ＭＣＭ）、高密度互连（ＨＤＩ）等多种新　技术不断涌现。　高密度互连（ＨＤＩ）基片被定义为比一般ＰＣＢ具　高密度互连结构可以采朋不同的技术来实现。每　有更高单位面积连线密度的基片。同普通ＰＣＢ相比，　一种技术都有其优点和缺点。但就高互连密度和最佳　ＨＤＩ基片的线宽和线距更加精细（＜７５　ｍ）、通　电气性能而言，一般认为多层薄膜技术是最佳选择。使　孔小（＜１５０　ｕ　ｍ）、定位焊盘（Ｃａｐｔｕｒｅ　Ｐａｄ）也　用这一技术可使线宽和线距很容易达到２０　ｍ、甚至　小（＜４００　ｍ）、连接焊盘（Ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ　Ｐａｄ）密　ｌ０　ｕ　ｍ的极小尺寸，而且仅需两层细线布线层就能实　度较大（＞２０个焊盘・ｃｍ。ｏ　ＨＤＩ基片在微电子　现密度非常高的互连结构。此外，薄膜高密度互连技　集成技术中用来缩小尺寸、减轻重量和提高电气性能。　收稿日期：２００５—０５—３０　维普资讯 http://www.cqvip.com

笫６苍　４｝｝｝】　电子　封装　ＨＤＩ基片　１３本称作“积层板”（ｂｕｉｌｄ—ｕｐ　ｂｏａｒｄ），　膜高密度互迕基片采用半导体ＪＪｎ　ｒ的薄膜１一艺、没备　在美闻又被称作“序列积层”（ＳＢＵ，Ｓｅａｕｅｎｔｉａｌ　ｂｕｉｌｄ—　ｕＰ）板或“做孔”（Ｍｉ　Ｃ　ｒｏｕ　ｉ　ａ）板。虽然有多种　技术都口ｆ用来制造ＨＤＩ基片，按照　述定义，从　寸缩小角度来看，薄膜技术显然是获得高互连密度的　最佳技术。ＭＣＭ—Ｄ（淀积薄膜型多芯片组件）基片　和方法进行制造　一种广泛使　的Ｔ艺足在硅或氧化　乍吕网片（也可用其他基片）上形成多层结构　先将　聚酰亚胺涂覆在网片上，逐步升高温度到４２５℃Ｈ寸同　化。接着，用光刻作为掩膜或使川光刻…罔案的金　属或旋转涂覆玻璃（ＳＯＧ）作为掩膜，等离子刻蚀　通孔。然后，将金属（一般为铝或铜）溅射在整　个表面上，同时覆盖通孑Ｌ的壁上。之后，用光刻工　就是一种薄膜高密度互连基片。这种草片足制造　ＭＣＭ—Ｄ最重要的荩｛ｉ＝Ｉ：，直接决定着ＭＣＭ—Ｄ的尺寸、　封装密度和性能。众所周知，ＭＣＭ—Ｄ是一种　ｊ－重要　的高密度小型化封装技术　这从一个侧面充分反映了　艺刻蚀成所需的导体罔案。通过重复上面的Ｔ艺，旋　转涂覆另一层聚酰亚胺，同化、刻蚀通孔和进行金　薄膜高密度互连技术在微电子集成方面的重要意义。　薄膜高密度互连技术是在薄膜制备、光幺Ｉ】等ＩＣ　属化，直到产生所要求层数的信号层、接地层和电　源层为止。除聚酰亚胺之外，还町采用其他介质作　Ｔ艺技术基础ｆ　发展起来的。其主要特点是相继地沉　积用做导体的金属薄膜和作介质隔离层的绝缘膜　薄　绝缘膜。图１是一种ＭＣＭ－Ｄ用薄膜多层高密度互连　基片的剖面示意冈。　・ｌ　５．２４ｃｍ直径氧化　Ｉ　・５．１ｃｍ×１０．２ｃｍ丝』　・５一导体层　・ＣＴＥ特别低的集酰亚胺　等离了腐蚀孔　・钒内　・铁钨／镍金ＪＩ）ｉ／￣　・罔ｌ　高密度多芯片　７　连（ＨＤＭＩ）剖山　制定薄膜高密度互连基片的设计　案，通常包含　３　设汁与Ｔ艺考虑　薄膜高密度互连基片在设汁过程　ｆ，要涉及许多技　术参数和材料。通过对信弓钱、　寸、噪声和响应条　件进行恰当的选择与设置，可以实王见不同的设计葛求。　下面几个主要的步骤：①选择基片材料。②确定导体　金属材料。③根据功率和　元尺寸要求来确定电阻器　是设置在基片正面还是底面。④如果从正面至底面的　各层问需要电气连接，则必须考虑是用同体填充通孔　还是川金属化通孔来实现这种连接。⑤根据电容器、亭　途不同，设计方案也就不・　佯　适合某些应川场合　的基片材料、金属化结构和互连技术对其他应用场合　就／ｆ　完全适　。尤沦足需要电Ｉ５Ｈ器网络、集成电阻器一　气交叉、耦合器等其他元件的设置情况，设计另外一　个布线层连接这些元件，川以完成高密度　连。　３１基片　．电容器网络、多层元件、定制薄膜网络、还是需要　特定形状的基片，都必须对不同的方案进行充分的比　较、评价然后择优确定　这对设汁Ｔ作无疑是十分重　的　一基片既是电气互连图案和制造膜电阻器的基底，　是　配器件的机械支撑和器件散热的媒质。它必须　满足一系列电气、物理、化学、热学、机械等多　方而的性能要求。基片选择是电路设计Ｌ｛１最重要的丁　２一　维普资讯 http://www.cqvip.com

第６巷第４期　云振新：薄膜高密度互连技术及其应用　作之一。基片材料多种多样，每种材料都有其独特　的性能。基片选择时考虑的主要因素是终端应用要求。　必须充分了解各种基片材料的特点和性能。只有这样　才能选　最适合终端应用的基片材料。　术规范》（ＭＩＬ—Ｈ一３８５３４）指出，在导体宽度同为　５００　ＩＬｍ时，金的电流容量比铝大五倍。金常常用作　－键合引线材料。当键合引线长度大于ｌｍｍ时，金的电　流容量虽有较大降低，但仍然相当高。但是，金线的　直径是有的，通常在５０　ｍ以下，这就了可　薄膜高密度互连采用氧化铝陶瓷、氧化铍陶瓷、　氮化铝陶瓷、硅、石英等多种材料作基片、氧化铝陶　瓷基片广泛用于一般薄膜集成电路和微波中功率集成　电路，要求基片的氧化铝含量大于９９．６％（重量百分　数）和表面光洁度Ｏ．０２５－０．１５　ｍ　ＣＬＡ（中心线平　均值）。在质量和等级方面，薄膜用氧化铝基片比厚膜　用氧化铝基片要求高得多。石英基片具有表面光洁、损　耗因数低、热膨胀系数很小（仅为０．５５　ｘ　ｌ０－６／℃，　是氧化铝基片的１ｌ１０左右）等特点，可制作很高密　度的互连图形，特别适合微波、毫米波、小功率、低　并联电容场合使用。但石英基片的价格较高。硅、氧　化铍、氮化铝等三种基片的导热性能好，它们的热导　率比氧化铝基片和石英基片高得多。硅基片可在中功　率、大功率直流场合使用，而且是高密度多层细线布　线的最佳基片。氧化铍是一种集高绝缘电阻和高热导　率于一身的基片材料。其热导率接近金属铝并具有极　好的塑料才有的绝缘电阻。而且，它的热导率值与材　料纯度密切相关。高纯度氧化铍陶瓷的热导率比典型　的环氧塑料高ｌ　２００倍，比大多数玻璃高２００倍，优　于氧化铝陶瓷６－１０倍。常用氧化铍材料的热导率在　２５　时一般为３００Ｗ（ｍ・ｋ）一，在１　００℃时通常　为２４０Ｗ（ｍ・ｋ）一。它的主要问题是成本高和制　造中的毒性。氧化铍适合在大功率混合电路和大功率　微波电路中做互连基片。氮化铝的性能与用途同氧化　铍类似，具有高热导率（１７０　Ｗ（ｍ・ｋ）一￣２００Ｗ　（ｍ・ｋ）　）和优良的电气、机械性能，但是不　像氧化铍那样有毒性。氮化铝的另外一个优点是热膨　胀系数（４．４×１０一ｂ／　）低，可与硅的热膨胀系数（３　ｘ　１０　／。【二）形成良好的匹配。南于氮化铝性能上的　这些优点，使其作为高功率混合电路、大功率微波电　路和高密度多芯片组件的互连基片而受到重视。　３．２导体　基片材料选定之后，电路设计的重要工作是确定　导体材料和导体图案。电流密度和导体阻抗对电路性　能有很重要的影响，设计上要认真考虑。作为互连　线的导体带既要能承受要求的电流又要具有很低的电　阻（对信号线尤其重要），以保证电路性能的实现。　铝和金是最常用的导体金属材料。金的导电性能　优良，可传导很大的电流。美网《混合微电路总技　使用的电流容量的范围。而铝线的直径就没有这种使　用上的，因此通过增大铝线的直径可得到很高的　电流容量。　在导体设计中必须考虑通孔的设置。通孔用于穿　过介质进行金属化层之间的电气连接，是高密度互连　基片的重要组成部份之一。通孔技术是薄膜多层高密　度互连技术的关键技术之一。通孑Ｌ有多种形状，如叠　加式、阶梯式、螺旋式、交错式、埋入式、偏移式、一　端封闭式等。导体图案结构不同，互连通孑Ｌ的形状也　不一样。除了形状之外，通孑Ｌ的尺寸及其纵横比、通　孑Ｌ壁的剖面形状等因素，也是通孑Ｌ设计必须考虑的问　题。　３．３电阻器　选择电阻器时，有如下几个重要问题需要考虑：　（１）在实际的厚度范围内，具有可控制的、能　重复的面电阻率（ｎ／口）；　（２）低的电阻温度系数（Ｔ　Ｃ　Ｐ）；　（３）紧密的阻值跟踪；　（４）长期的稳定性（在加电或热老化时有低的　漂移）。　制造电阻器的常用材料有镍铬、氧化钽和铬硅氧　化物金属陶瓷。镍铬具有很低的电阻温度系数，而　面电阻率比氮化钽高，是薄膜高密度互连技术中最常　用的一种电阻器材料。但镍铬电阻器的性能比氮化钽　电阻器更易受环境条件变化的影响而不很稳定。表１　对镍铬电阻器和氮化钽电阻器的特性作了比较。…　铬硅氧化物金属陶瓷是一氧化硅和铬（ＳｉＯ—Ｃｒ）的复　合物。它具有很高的面电阻率，能在最小的基片面积　上制造出高阻值电阻器。通过改变一氧化硅对铬的配　比，可在较宽的范围内调整面电阻率的大小。这为电　阻器提供了设计灵活性。最实用的面电阻率的范围是　１　０００　Ｑ／口－３０００　ｎ／口。这种电阻器的电阻温度系　数一般是负的，当氧化物含量增加时，它将变得更负。　对于组份为７０％Ｃｒ、３０％ＳｉＯ的陶瓷金属电阻，其　电阻温度系数为一６０×Ｌ０　／。【二～一４０×１０～ＩＴ．。标准　电阻器的电阻值为５　ｎ～２Ｍ　ｎ，绝对公差为５％～　０１％．，比公差为１％－０．０１％。而且，其比公差的大　小与电阻值有关。微波电阻器的电阻值范同较窄，为　一３一　维普资讯 http://www.cqvip.com

第６苍笫４Ｎ］　电　子　与　封装　而电阻率　电阻温度系数（ＴＣＲ）　电阻温度系数跟踪（一５５　０（！一１２５％）　２５～３００ｎ／ｒ－－Ｉ　２５　ｌ５０ｎ／口　１００～２００ｎ／口（典　）　（０±５０）×１０－６／　（典型）　２　Ｘ　１０　６　１００Ｑ／口（典型）　（一７５±５０）×ｌ０一　ｏｃ（典型）　＜２×ｌ０　电阻漂移（在空气中１　５０％下老化ｌ　０００小时后）　比值跟踪　＜２　０００×１０　６　５×ｌ０　一＜ｌ　０００×ｌ０　５×１０　一噪音（１００Ｈｚ～ｌＭＨｚ）　３５ｄＢ（最大）　ｌ　２５　一４０ｄＢ　１０　ｎ一１　０００　ｎ；其绝对公差和比公差均为０．５％；电　阻温度系数小于２００　Ｘ　１０／￣Ｃ。无论是设计方法还足　ｍ，基片去除量为２５％。　般来｝兑，应用装置对薄膜高密度互连基片提　可川电阻值的范同，微波电阻器同一般的直流电阻器　截然不同，它所考虑的问题更为复杂。微波电阻器设　计源于微波带状线技术。微波电阻图形通常是…一个　的尺寸要求决定了互连层的层数。尺寸越小，所需　连层的层数就越多，往往需要两面互连甚至多层互连。　互连层设计需要考虑许多　素，包括导体罔案、通孑Ｌ、　带任何切口的简单矩形。　口会ｆｊｌ起反射行将对电压　驻波比特性产牛不良影响。当对电阻器的公差要求较　严时，通常都在制造上采用捌阻的方法来提高生产的　合格率　为ｒ把凋阻方法的不利影响减到最，】、，可以　利川中心线来确定边界进行渊阻，以保持顿率响心特　电阻器单元、外加有源器件、电容器与耦合器的特性　以及相关的瓦连　薄膜多层高密度互连设计是很复杂　的。这种没计与终端产品有ｔ分密切的关系。只有把　设汁ｒ作与终端产品密切联系起米进行，才能获得性　能最佳的终端产品。返川ＣＡＤ系统可以高效率地完成　性　变。　Ｌ，前的检验要求允许去除电阻器的一半。采　州高温稳定Ｔ艺可以制造…性能十分稳定的电阻器，　其时间稳定性和温度稳定性都很好。表２ｙ１］ｉｌｌ　主要的　基片特Ｊｆ牛及其参数水平　．　表２主要基片特性　材料　ＡＩ　２Ｏ　３、ＢｅＯ、ＡＩＮ、Ｓｉ、石英　没计。存粘附层、阻挡层、导体和介质层的设计中，金　属材料的选择十分重要，要使这些材料在性能上相互　兼容。　３５　金属化通孔与填充通孔　．选择金属化通孔还是填允通孑Ｌ是必须考虑的设计　问题之一。金属化通孑Ｌ的成本艟低。仅当正面到背　表面光清度　尺寸　Ｊ　寸公差　烧成片＜０．０５　ｍ；抛光片＜０．０１３　ｍ　０．５ｍｍ×０．５ｍｍ～ｌ００ｍｍ×ｌ００ｍｍ　而的电气通路要求比较简单时才能使用金属化通孑Ｌ。　填充通孔的整个面积都日『作为散热通道，而且可把元　划片切割片１２５　ｍ；锯片切割片２５　ｍ　１２５　ＬＬｍ～１．２５ｍｍ　厚度　厚度公差　电阻器材料　件直接安装在它上面以便把元件的热量充分散发…去。　当需要改善电路背而的导热性能时，往往就选　填充　通孑Ｌ。此外，填充通孑Ｌ还可提供…个通向接地热沉的　常规片５０　ｍ；特种片ｌ３　ｍ　ＮｉＣｒ、Ｔａ２Ｎ、ＳｉＯ．Ｃｒ　导体材料　．Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ　附加低热导率通路，从而改进信号的传输性能。金属　化通；ｊ＇Ｌ￣４ｊ最小直径为基片厚度的８０％，其电阻通常应　３４　切口、特殊成形和互连层　在薄膜高密度互连技术的应用ｌＩｌ，有许多场合需　要将基片装入器件内的特定空腔巾；Ｉ『ｌｆ另一些场合则　要求在基片上开　切口，川来放置与其表而齐平的芯　片元件。要满足这些应用要求，必须对基片进行加　。　ＣＯ　切割技术可以在基片七加　ｍ各种形状，从图片　低于２０ｍ　ｎ。填允通孑Ｌ的直径为１２５　ｍ－２２５　ｍ，　其典型电阻值不大于３　ｍ　ｎ　表３列　厂　形特性及　其参数水平Ｉ　。　表３图形特性　导体宽度　导体厚度　导体宽度公差　通孔最小直径　通孔直径　位置的公差　５Ｏ　ｍ（最经济）；２５　ｍ（町达到）　１．２５　ｍ一７５　ｍ；Ｃｕ厚度５Ｏ　ｍ　彤到复杂的ｕ形结构都可以实现。Ｕ彤结构具有多个　孑Ｌ位。另外，ＣＯｚ－｝』Ｊ割技术也可以川来对电镀通孑Ｌ作钻　；Ｊ＇Ｌ／ＪＨ　ｌ　、制作填充通孔以及在基片　反两面刻制图形　加Ｔ的参数要求包括：定位公羞为７５　ｍ，基片边沿　与电路之间的距离不得小于５Ｏ　ｍ，最小『＾］角半径为　４一　（常规情况），１５０　ｍ（叮达到）　厚３．７５　ｍ时，２．５　ｍ　片厚度的８０％　±５０　ｍ　维普资讯 http://www.cqvip.com

云振新：薄膜商密度　连技术及其嘘用　３．６薄膜微桥　当必需导体交Ｙ．．ｒｌ、ｆ’可　导体图案上制造薄膜微　桥来进行电路的跨接　常用的薄膜微桥有气隙微桥和　聚酰　胺支撑做桥。气隙徽桥足川空气作绝缘介质的　微桥．　聚酰亚胺支撑微桥是采用聚酰亚胺作绝缘介质　不Ｉ１支撑介质的做桥　气隙桥有几个主要的制造步骤：沉　积筇…层薄膜并刻…适当的ｌ司形。其次，在它的上面　沉积第二层博膜。接着，去除第一层薄膜，就得到了　气隙微桥　川类似的Ｔ　方法也可制造ｌ叶Ｊ聚酰亚胺支　撑徽桥．．从结构力‘面看，聚酰亚胺支撑微桥比气隙微　桥史坚同、更ｎＪ　靠。罔２是制造气隙微桥和聚酰亚胺支　撑微桥互连基片的１　艺流程图，对基本Ｔ　步骤作了　简要说明。气隙做桥要求导体的问距大于１２　５　ｌＪ－ｍ：　公差不高于２　５　ｍ；导体的最小宽度为１２　５　ｌＪ－ＩＴＩ；　微桥高度为７．５“ｍ～ｌ　２　５　ｌＪ－ｍ　】。　ｅ　微桥　１４－７０ｍｉｌ　匕淀私ｌ＝＝　ｊ　或　比　亡＝蒸发铜　＝＝＝＝　显影通扎罔形，　ｌ］　　划底　时体线条　在铜中光刻通孔ｌ　ｌ＝＝＝＝　卜・卜一ｌ　Ｚ口ｌ翟盘篮譬●－－ｌ　Ｉ＋＿Ｊｌ　　川心蚀上撺　）￣－ｉｊ桥的跨度　淀私｛Ｊ员层铝　钏的　｛牛　或镀金　撑侨：除』，川策酰、　弋管铜及植　虽后…步小去除外。　合　丝　印刷聚酰、ｌ　胺　２　制造气隙微侨和芷撑桥互连基片的步骤　３．７背面与多层互连　基片背面有多种用途，设计上要注意加以利用。　基片背面既兀ｆ作导电罔案，义可作接地面。正面至背　的埘准度ｎ『达５０　Ｉ上ｍ。在多层互连设计中，背面　金属化层还可以州作互连导体层的屏蔽层。此外，基　片背面还可制作金属化接地通孑Ｌ、大面积阻抗金属以　及特殊形状的切口．，充分利用基片背面图形的多种功　能，Ｉ１Ｊ‘为顶部表面多层设计提供一种低成本的方案。　当止向背面互连的双面基片不能满足要求时，就　需要采川多层：　连基片　在多层互迕草片巾，摹片的　ＩＩ　面和背面都可以．｝千ｊ来制造多层互连层。采川多层瓦　连没计口ｆ以减小ＥＩＪ制板面积：增加一层可将面积缩小　１．３３倍；增加二层可缩小１．７７倍・９：ｂ￣Ｄｉｉ　层可缩小　２．３７倍；增加【Ｊｑ层可缩小３．１６倍…。各金属层之　『月Ｊ通常采用聚酰亚胺或氮化硅作绝缘介质。聚酰亚胺　具有良好的成　ｌ生能和合适的加Ｔ温度，使用更为普　遍。金属层与绝缘介质层相继交叠的多层结构，只　要各层材料在ｒ艺上相互兼容，一般来说对交叠的层　数没有。　４　应用　现代电子装置不断向小型化、多功能化、高频化　方向发展。增加功能需要更高水平的集成化。高频化　要求信号具有很高的完整性。增加无什的Ｉ／０密度需要　提高互连密度，ＣＯＢ（芯片直接组装）具有电感小、　噪声低、Ｉ／０密度高等优点，　在快速发展。增加功　能、缩小　寸、降低成本等需求推动人们丌发了ＭＣＭ　（多芯片组件）和ｓ　Ｉ　Ｐ（系统级封装）。薄膜高密　度　连技术是这些现代电子装置和新型器件实现高性　能化和小　化必不可少的主要解决方案。另外，降低　成本足电子产品的普遍要求。消费类电子产品埘成本　的控制更为严格。电子系统应用溥膜高密度可连技术　之后，不仅减小了基片尺寸，也大大减少了所川基片　的数日，从而使系统的总成本得到大幅度降低。薄膜　高密度互连技术的低成本优势也是它获得广泛应用的　重要原因之一。　薄膜高密度互连技术在众多领域都获得了应用而　且止在不断发展与扩大。航空航天方面的高可靠轻量　化电子设备，汽车方面的发动机控制系统与防撞雷达　安全系统，医疗方面的实验室设备、医用诊断治疗　设备、人体内植医用电子器械等就是其典型的应川领　域。用薄膜高密度互连技术制成的ＭＣＭ－Ｄ已ｌ一分Ｊ　泛地用于各领域。ＭＣＭ—Ｄ已普遍用于大型汁算机、　信号与数据微处理器和电信没备等高档电子硬件ｒｆ１。　ＭＣＭ－Ｄ已也特别适用于包括霄达处理器、　纳、智　能信号和图像系统在内的高档军事和空间应，Ｈｊ。最　著的例子是美国休斯（Ｈｕｇｈｅｓ）飞机公司为Ｆ－２２和　Ｆ　１　８战斗机雷达系统设计的信号和数据处理器ｌ】　。　两种处理器的防潮密封模块的互连基片就是用薄膜高　密度互连技术制造的。近年来，人们正采用ＭＣＭ－Ｄ　的方法大力研究与开发系统级封装的无线通信用射频　前端系统…。随着薄膜高密度互连技术的进步，其　应用范同也存扩大与深化。美同ＡＣＲＥＯ公司已将４层　金属层的硅互连基片和２层金属层的彳亍英互连基片川　于毫米波领域就是一个例子　。　５　结束语　（下转第１　４页）　．　．　维普资讯 http://www.cqvip.com

第６卷第４期　电子　封装　［２０］任晓　．合会元素对ｓｎ—ｚｎ　无｛＿ｆ｝焊料高温抗氧化性　的影响［Ｊ］．电子兀件与材料，２００４，２３（１１）：　４０～４４　中　腐蚀与防护学报，２００３，２　３（４）：２３４．－２３８　『２７］Ａｋｉｏ　Ｈｉｒｏｓｅ，Ｈｉｒｏｔｏ　Ｙａｎａｇａｗａ，Ｅｉｉｃｈｉ　Ｉｄｅ，Ｋｏｊｉｒｏ　ＦＫｏｂａｙａｓｈｉＪｏｉｎｔ　ｓｔｒｅｎｇｔｈ　ａｎｄ　ｉｎｔｅｒｆａｃｉａｌ　ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　．．２１］Ｃｈｕｎｇ　Ｓ　Ｃ，Ｃｈｅｎｇ　Ｊ　Ｒ，Ｃｈｉｏｕ　Ｓ　Ｄ，Ｓｈｉｈ　Ｈ　Ｃ．　ＥＩＳ　ｂｅｈａｖｉｏｒ　ｏｆ　ａｎｏｄｉｚｅｄ　ｚｉｎｃ　ｉｎ　ｃｈｌｏｒｉｄｅ　ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔｓ　ｂｅｔｗｅｅｎ　Ｓｎ．．Ａｇ．．Ｃｕ　ａｎｄ　Ｓｎ．．Ｚｎ．．Ｂｉ　ｓｏｌｄｅｒｓ　ａｎｄ　Ｃｕ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ　『Ｊ　Ｉ．Ｓｃｉｅｎｃｅ　ａｎｄ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　ｏｆ　Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，　２００４，［Ｊ］＿Ｃｏｒｒｏｓ．Ｓｃｉ．，２０００，４２：１　２４９～ｌ　２６８　『２２］Ｂｅｃｈ—Ｎｉｅｌ　ｓｅｎ　Ｇ，Ａｎｎｅ　Ｄ　Ｊｕｈ１．Ｃｏｒｒｏ　Ｓｉ０ｎ　ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｓ　ｂｙ　ｔｉｔｒａｔｉｏｎ（ＣＭＴ）：Ｃｏｐｐｅｒ，Ｓｎ—Ｚｎ　５：２６７－２７６　［２８］占涛，黄代涛，．ｓｎ—ｚｎ—Ｂｉ—ｘ（Ａｇ，Ｃｕ）　系焊料的断裂韧性研究［Ｊ］，电子元件与材料，　２００４．ａｌｌｏｙ　ａｎｄ　ａｌｕｍｉｎｉｕｍ［Ｊ］．Ｃｏｒｒｏｓ．Ｓｃｉ．，１９９３，３４　（５）：７　８　５～７　９　６　２　３（６）．　［２９］Ｔａｏ・Ｃｈｉｈ　Ｃｈａｎｇ，Ｍｏｏ—Ｃｈｉｎ　Ｗａｎｇ，Ｍｉｎ。Ｈｓｉｕｎｇ　Ｈｏｎ．Ｅｆｆｅｃｔ　ｏｆ　ａｇｉｎｇ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｇｒｏｗｔｈ　ｏｆ　ｉｎｔｅｒｍｅｔａｌｌｉｃ　ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ　ａｔ　ｔｈｅ　ｉｎｔｅｒｆａｃｅ　ｏｆ　Ｓｎ－－９Ｚｎ－－ｘＡｇ／Ｃｕ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ　［２３］Ｏｄｎｅｖａｌ１　Ｉ，Ｌｅｙｇ　ｒａｆ　Ｃ．Ｔｈｅ　ｆｏ　ｒｍａｔｉＯｎ　ｏｆ　Ｚｎ４ＣＩ　２１０Ｈ１４ＳＯ４・５Ｈ：Ｏ　ｉｎ　ａｎ　ｕｒｂａｎ　ａｎｄ　ａｎ　ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ　ａｔｍｏｓｐｈｅｒｅ［Ｊ　ｊ＿Ｃｏｒ　ｒｏｓ．Ｓｃｉ．，１９９４，３６（９）：　１　５５１～１　５６７　Ｊ］．Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｃｒｙ　ｓｔａｌ　Ｇｒｏｗｔｈ，２００３，２５０：　６－２４３　［２４］Ｍｅｎｄｏｚａ　Ａｎｔｏｎｉｏ　Ｒ，Ｆｒａｎｃｉｓｃｏ　Ｃｏｒｖｏ．Ｏｕｔｄｏｏｒ　ａｎｄ　ｉｎｄｏｏｒ　ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ　ｃｏｒｒｏｓｉｏｎ　ｏｆ　ｎｏｎ—ｆｅｒｒｏｕｓ　ｍｅｔａｌｓ［Ｊｊ　＿ＣｏｒｒｏｓＳｃｉ．作者简介：　．，２０００，４２：ｌ　ｌ　２３￣ｌ　ｌ４７　肖盈盈。ｌ　９８３年生，女，江苏　盐城人，东南大学材料科学与Ｔ程系　硕士研究生；　［２５］Ａ．Ｓａｂｂａｒ，Ｓ．Ｅｌ　Ｈａｊｊａｊｉ，Ａ．Ｂｅｎ　Ｂａｃｈｉｒ，Ｍ．Ａｌａｏｕｉ—　Ｅｌ　ＢｅｌｇｈｉｔｉＡ，．Ｚｒｉｎｅｈ．Ｅｖａｌｕａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｃｏｒｒｏｓｉｏｎ　ｂｅｈａｖｉｏｕｒ　ｏｆ　ａ　ｎｅｗ　ｃｌａｓｓ　ｏｆ　Ｐｂ—ｆｒｅｅ　ｓｏｌｄｅｒ　ｍａｔｅｒｉａｌｓ　ｆ　Ｓｎ—　周健，１　９７７年生，男，湖北新　洲人，东南大学材料科学与Ｔ程系博　十研究生。　Ｉｎ—ｚｎ）『Ｊ］．Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　ａｎｄ　Ｃｏｒｒｏｓｉｏｎ，２００１，５２：　２９８～３０１　ｆ　２６］夏志东，穆楠，史耀武．锡锌焊料的府蚀行为［Ｊ］．　（上接第５页）　Ｔｈｉｎ　Ｈｌｍ　Ｈｉｇｈ—Ｄｅｎｓｉｔｙ　Ｉｎｔｅｒ—Ｃｏｎｎｅｃｔ（ＨＤＩ）Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　薄膜高密度互连技术是一种应用广泛的小型化集　ｔｏ　Ｉｍｐｒｏｖｅ　Ｄｅｓｉｇｎ　Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ａｎｄ　Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ［Ｊ］．　Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ　Ｐｒｏｄｕｃｔ　Ｄｉｇｅｓｔ２００５（１）：３６．－５０，　，成技术，是实现ＲＦ电路和微波电路低成本集成的优选　技术。它对现代电子装置和新型器件的发展具有十分　重要的意义。我们应当重视薄膜高密度瓦连技术的研　究、开发与应用。　参考文献：　［１］Ｊａｍｅｓ．Ｌｅｏｎａｒｄ　Ｒ．Ｅｎｌｏｗ．朱瑞廉泽．工瑞庭校．混台微　，　５４　［４］ＧＥＥＲＴ　ＣＡＲＣＨＯＮ，Ｂ．ＮＡＵＷＥＬＡＥＲＳ，Ｐ．ＰＩＥＴＥＲＳ　ｅｔ　ａ１Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒ　Ｔｈｉｎ—Ｆｉｌｍ　ＭＣＭ—Ｄ　ｆｏｒ　ｔｈｅ　Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ　ｏｆ　．Ｈｉｇｈ　Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　Ｗｉｒｌｅｓｓ　Ｆｒｏｎｔ—Ｅｎｄ　Ｓｙｓｔｅｍｓ［Ｊ］．　Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ　Ｊｏｕｒｎａｌ２００１（２）：９６￣ｌｌ０　，电路技术手册（第　版）［Ｍ］．北京：电子丁业…版　丰．卜，２００４．　作者简介：　云振兴。男，教授级高ｌＴ．１９６０年毕业丁电子科技　１　２］Ｗｈａｔ　ｉｓ　ＨＤＩ？ＨＤＩ－Ｔｒｅｎｄｓ＆Ｍａｒｋｅｔ　ｌ　ＥＢ／ＯＬ］，　ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．大学。长期从事半导体器件研制、新产品开发管理、产　ａｃｒｅｏｃｏｒｎ．．２００５—４－－．　品质姑管理Ｔ作。现从事半导体器件的开发与发展工作，　发表论义２０余籍。　『３］ＷＩＬＬＩＡＭ　ＣＵＶＩＥＬＬＯ，ＤＥＲＥＫ　ＣＯＵＬＴＯＮ．Ｕｓｉｎｇ　一１４