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专利名称：一种DDR3控制系统专利类型：发明专利
发明人：车浩军,吴志强,杨才明,陈建平,金乃正,金军,朱玛,陶
涛,李勇,张琦,李康毅,崔泓,周剑峰,谢永海
申请号：CN20181142.3申请日：20181127公开号：CN109582615A公开日：20190405
摘要：本发明公开了本发明一种DDR3控制系统，包括DDR3控制器，所述控制器通过PHY模块连接至DDR3存储器，所述PHY模块输出串行化命令给所述DDR3存储器，所述DDR3存储器的操作命令包括ACTIVATE激活命令、READ读取命令、WRITE写入命令、NOP空操作命令、PRECHARGE预充电命令和REFRESH刷新命令，其中，如图1中虚线框所示，所述DDR3控制器包括命令仲裁模块、命令解析模块以及PHY接口模块，所述命令仲裁模块用于仲裁用户读写DDR3存储器的请求以及定时刷新DDR3的请求，并生成新的命令，所述命令解析模块接收所述命令仲裁模块输出的命令，所述命令解析模块计算出当前执行命令的种类以及对应时标并按时标方式组织形成执行命令，所述PHY接口将所述执行命令适配成PHY模块需要的命令形式。确保工作的可靠节约资源。
申请人：浙江双成电气有限公司,绍兴建元电力集团有限公司,国网浙江省电力有限公司绍兴供电公司
地址：312000 浙江省绍兴市袍江工业区袍中南路3号
国籍：CN
代理机构：杭州华鼎知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：项军
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