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专利名称：薄膜基材的加工方法以及薄膜基材的加工装置专利类型：发明专利
发明人：牛丸明彦,柳田芳明,十仓史彦申请号：CN200880130661.9申请日：20080807公开号：CN102112265A公开日：20110629
摘要：本发明涉及针对去除加工中产生的无用物进行处理的薄膜基材的加工方法以及薄膜基材的加工装置，本发明的薄膜基材的加工方法，包括：去除加工工序，在薄膜基材上形成孔；和加热熔融工序，利用激光对薄膜基材进行加热熔融处理，将在形成上述孔时产生的无用物(毛刺或碎片)封固在该薄膜基材内。
申请人：富士通株式会社
地址：日本国神奈川县
国籍：JP
代理机构：隆天国际知识产权代理有限公司
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