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专利名称：半导体存储器单元和存储器电路专利类型：实用新型专利发明人：P·加利,R·勒蒂克申请号：CN201921724356.4申请日：20191015公开号：CN210723027U公开日：20200609
摘要：本公开涉及半导体存储器单元和存储器电路。一种方法可以用来对存储器单元进行不可逆地编程，存储器单元包括MOS晶体管，MOS晶体管具有通过沟道区域分离的第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域，沟道区域邻近栅极区域。方法包括沿第一源极/漏极区域的宽度施加电流，以使第一源极/漏极区域的电阻率不可逆地增加。
申请人：意法半导体有限公司
地址：法国蒙鲁
国籍：FR
代理机构：北京市金杜律师事务所
代理人：李春辉
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