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专利名称：一种MEMS器件结构的制作方法专利类型：发明专利发明人：郑超,陈福成
申请号：CN201410114998.8申请日：20140326公开号：CN104944362A公开日：20150930
摘要：本发明提供一种MEMS器件结构的制作方法，包括步骤：1）提供表面形成有微结构区、金属键合层、以及金属焊盘的第一半导体衬底，及表面具有环形凸起的第二半导体衬底；2）去除所述金属键合层及金属焊盘表面的第一金属氧化层；3）进行键合工艺；4）进行切割工艺，切割时金属焊盘表面吸附有半导体颗粒；5）氧化半导体颗粒氧化形成氧化颗粒，并于金属焊盘表面形成第二金属氧化层；6）酸性化学腐蚀去除氧化颗粒；7）碱性化学腐蚀去除第二金属氧化层。本发明通过氧化、酸性腐蚀及碱性腐蚀工艺去除了金属焊盘吸附的半导体颗粒，在不影响MEMS器件性能和铝焊盘性能的情况下，有效地避免了金属焊盘容易被腐蚀的缺陷。本发明工艺简单，适用于工业生产。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：上海光华专利事务所
代理人：李仪萍
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