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专利名称：半导体存储电路专利类型：发明专利发明人：津村和宏
申请号：CN201310447687.9申请日：20130927公开号：CN103700402A公开日：20140402
摘要：本发明提供长期可靠性和读出特性优异的低消耗电流的半导体存储电路。本发明的半导体存储电路，将第一倒相器的输出连接至可电写入的第一非易失性存储器的源极，将第一非易失性存储器的漏极连接至第二倒相器的输入，将第二倒相器的输出连接至第二非易失性存储器的源极，将第二非易失性存储器的漏极连接至第一倒相器的输入，将第二非易失性存储器的漏极作为输出。
申请人：精工电子有限公司
地址：日本千叶县千叶市
国籍：JP
代理机构：中国专利代理()有限公司
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