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专利名称：硅锭的铸造方法专利类型：发明专利发明人：史珺,孙文彬
申请号：CN201110254343.7申请日：20110831公开号：CN102953117A公开日：20130306
摘要：本发明公开了一种硅锭的铸造方法，包括步骤：在坩埚中进行装料，底层原料包括多晶硅粉、中间层原料由单晶硅片拼接而成、上层原料为多晶硅料；将坩埚置于铸锭炉中并抽真空，将多晶硅粉烧结使单晶硅片固定；控制炉内的垂直温度梯度，使单晶硅片的上部部分熔化、并使多晶硅料熔化；控制炉内的垂直温度梯度，使晶粒沿着未熔化的单晶硅片向上生长并得到硅锭。本发明能提高硅锭的晶粒尺寸、提高由硅锭制成的硅电池片的光电转换效率，能降低生产成本。
申请人：上海普罗新能源有限公司
地址：201300 上海市浦东新区惠南镇宣黄公路2455弄6号
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：丁纪铁
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