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专利名称：一种ICP等离子体刻蚀机专利类型：发明专利发明人：不公告发明人申请号：CN202011300038.2申请日：20201119公开号：CN112420475A公开日：20210226
摘要：本发明涉及半导造技术领域，且公开了一种ICP等离子体刻蚀机，包括机体，所述机体的上表面固定安装有连通管，所述连通管的两侧固定安装有进气口，所述机体、连通管、进气口相连通，所述机体的顶端固定安装有铁芯，所述铁芯的外部固定套接有导线，所述机体内部的上部固定套接有屏蔽管，所述屏蔽管的外部固定套接有耦合线圈。该ICP等离子体刻蚀机，通过在增加耦合线圈电流以提高等离子密度时，由于导线此时电流随着耦合线圈同时增加，使得铁芯磁力增加，此时由于基片底座从受力平衡到受到向上的吸引力，使得基片底座向上运动，使得在增加等离子密度的同时缩短等离子运动的距离，继而将等离子之间碰撞的几率降低，使得刻蚀效果增加。
申请人：何俊民
地址：232000 安徽省淮南市田家庵区园南陈岗公路局院3-1-3室
国籍：CN
代理机构：深圳市创富知识产权代理有限公司
代理人：王军
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