专利名称：蚀刻后残留物清洁组合物及其使用方法专利类型：发明专利
发明人：孙来生,李翊嘉,王莉莉,吴爱萍申请号：CN201910671795.1申请日：20190724公开号：CN110777021A公开日：20200211
摘要：本发明提供一种微电子器件(半导体衬底)清洁组合物及其使用方法，该清洁组合物包含水、草酸和两种或更多种腐蚀抑制剂。
申请人：弗萨姆材料美国有限责任公司
地址：美国亚利桑那州
国籍：US
代理机构：北京市金杜律师事务所
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