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晶片级封装及制造方法[发明专利]

来源:化拓教育网
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:晶片级封装及制造方法专利类型:发明专利

发明人:C.鲍尔,H.克吕格,J.波特曼,A.施特尔茨尔,W.帕尔,R.

科赫

申请号:CN201280017250.5申请日:20120328公开号:CN103443021A公开日:20131211

摘要:本发明介绍了一种由两个优选地材料相同的压电晶片构成的密封的晶片级封装以及一种用于该晶片级封装的制造方法。两个晶片之间的电连接和机械连接借助框架结构和柱体来实现,所述框架结构和柱体的分布在两个晶片上的部分结构借助连接层而被晶片接合。

申请人:埃普科斯股份有限公司

地址:德国慕尼黑

国籍:DE

代理机构:中国专利代理()有限公司

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