一种破碎多晶硅的方法及其装置[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种破碎多晶硅的方法及其装置专利类型：发明专利

发明人：刘桂林,银波,胡光健,周慧申请号：CN201210346137.3申请日：20120918公开号：CN102836765A公开日：20121226

摘要：本发明公开了一种破碎多晶硅的方法，包括如下步骤：步骤一、将多晶硅置于水池中，以水没过多晶硅为准；步骤二、给水池施加瞬间高压电，所述高压电产生的电场强度大于或等于水池临界电场强度。本发明所提供的破碎多晶硅的方法突破了传统的多晶硅破碎思路，利用水电效应破碎多晶硅，可实现大规模破碎生产，并且工艺简单；本发明所提供的多晶硅破碎装置，结构简单、安全，易于操作；本发明不仅避免了现有技术中出现的金属污染问题，而且破碎均匀，有效的减少了多晶硅粉末的形成，对提高企业效益方面具有非常重要的意义。

申请人：特变电工硅业有限公司

地址：830011 维吾尔自治区乌鲁木齐市昆明路158号野马大厦716室

国籍：CN

代理机构：北京中恒高博知识产权代理有限公司

代理人：夏晏平

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