一种基于二维材料改性微纳结构的疏水材料及其制备方法和应用[发明专利]
来源：化拓教育网
专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：一种基于二维材料改性微纳结构的疏水材料及其制
备方法和应用
专利类型：发明专利
发明人：刘抗,裴俊先,廖雨田,江海峰,杨雪龙,胡雪蛟申请号：CN202010257691.9申请日：20200403公开号：CN111497365A公开日：20200807
摘要：本发明公开一种基于二维材料改性微纳结构的疏水材料及其制备方法和应用。该基于二维材料改性微纳结构的疏水材料，包括表面具有微纳结构的疏水性基底材料，还包括具有原子级厚度的二维材料，所述二维材料位于所述微纳结构表面，直接接触所述微纳结构的凸起部分，在所述微纳结构的凹陷部分处于悬空状态。其制备为：向具有微纳结构的疏水性基底材料的微纳结构表面覆盖一层具有原子级厚度的二维材料即可。所得基于二维材料改性微纳结构的疏水材料很好的维持液滴在微纳结构表面的Cassie疏水状态，避免液滴向Wenzel状态转变，从而维持疏水表面的长效疏水性能，制备工艺简单，具有普适性。
申请人：武汉大学
地址：430072 湖北省武汉市武昌区八一路299号
国籍：CN
代理机构：湖北武汉永嘉专利代理有限公司
代理人：杨晓燕
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