(19)中华人民共和国国家知识产权局
*CN102078852A*
(10)申请公布号 CN 102078852 A(43)申请公布日 2011.06.01
(12)发明专利申请
(21)申请号 200910310740.4(22)申请日 2009.12.01
(71)申请人鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
地址518109 广东省深圳市宝安区龙华镇油
松第十工业区东环二路2号申请人鸿海精密工业股份有限公司(72)发明人郑振兴(51)Int.Cl.
B05D 1/32(2006.01)
权利要求书 1 页 说明书 3 页 附图 3 页
(54)发明名称
喷涂遮蔽结构及采用该结构的喷涂遮蔽方法(57)摘要
一种喷涂遮蔽结构，用于对工件的非喷涂面进行遮蔽，工件包括自喷涂面凹陷的凹槽，凹槽的底面为非喷涂面，喷涂遮蔽结构包括第一遮蔽件及第二遮蔽件，第一遮蔽件具有一抵持面及与抵持面相对的遮蔽面，第一遮蔽件可收容于凹槽并使遮蔽面朝向凹槽的底面，第二遮蔽件具有与第一遮蔽件的抵持面配合的抵顶面，抵持面及抵顶面边缘的轮廓形状与凹槽的底面边缘的轮廓形状相同。上述喷涂遮蔽结构通过抵持面及抵顶面形成的缝隙对涂料产生吸附作用而吸附部分涂料，这样可减少或避免涂料自凹槽与第一遮蔽件、第二遮蔽件之间缝隙而流至底面，从而提高喷涂质量。
CN 102078852 ACN 102078852 ACN 102078855 A
权 利 要 求 书
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1.一种喷涂遮蔽结构，用于对工件的非喷涂面进行遮蔽，工件包括自喷涂面凹陷的凹槽，所述凹槽的底面为非喷涂面，所述喷涂遮蔽结构包括第一遮蔽件，所述第一遮蔽件具有一抵持面及与抵持面相对的遮蔽面，所述第一遮蔽件可收容于所述凹槽并使所述遮蔽面朝向所述凹槽的底面，其特征在于：所述喷涂遮蔽结构还包括第二遮蔽件，所述第二遮蔽件具有与第一遮蔽件的抵持面配合的抵顶面，所述抵持面及抵顶面边缘的轮廓形状与所述凹槽的底面边缘的轮廓形状相同。
2.如权利要求1所述的喷涂遮蔽结构，其特征在于：所述抵持面与抵顶面为平面。3.如权利要求1所述的喷涂遮蔽结构，其特征在于：所述第二遮蔽件还包括自抵顶面边缘垂直延伸的侧壁。
4.如权利要求1所述的喷涂遮蔽结构，其特征在于：所述第二遮蔽件自抵顶面边缘延伸的侧壁，所述侧壁与所述抵顶面的夹角小于90度。
5.如权利要求1所述的喷涂遮蔽结构，其特征在于：所述第二遮蔽件还包括自抵顶面边缘延伸的侧面及与抵顶面相对的顶面，所述顶面部分凹陷形成有收容槽。
6.一种喷涂遮蔽方法，用于对工件喷涂时的非喷涂面进行遮蔽，包括以下步骤：提供一工件，工件包括自喷涂面凹陷的凹槽，凹槽具有底面，所述底面为非喷涂面；提供一喷涂遮蔽结构，所述喷涂遮蔽结构包括第一遮蔽件及第二遮蔽件，所述第一遮蔽件具有一抵持面及与抵持面相对的遮蔽面，所述第一遮蔽件可收容于所述凹槽并使所述遮蔽面朝向所述凹槽的底面，所述第二遮蔽件具有与抵持面配合的抵顶面，所述抵持面及抵顶面边缘的轮廓形状与所述底面边缘的轮廓形状相同；
将第一遮蔽件放置于工件的凹槽，使所述遮蔽面朝向该凹槽的底面，抵持面边缘与凹槽底面的边缘平齐；
将第二遮蔽件放置于第一遮蔽件上，使抵顶面与抵持面贴合，且抵顶面边缘与抵持面边缘平齐。
7.如权利要求6所述的喷涂遮蔽方法，其特征在于：所述抵持面与抵顶面为平面。8.如权利要求6所述的喷涂遮蔽方法，其特征在于：所述第二遮蔽件还包括自抵顶面边缘垂直延伸的侧壁。
9.如权利要求6所述的喷涂遮蔽方法，其特征在于：所述第二遮蔽件自抵顶面边缘延伸的侧壁，所述侧壁与所述抵顶面的夹角小于90度。
10.如权利要求6所述的喷涂遮蔽方法，其特征在于：所述第二遮蔽件还包括自抵顶面边缘延伸的侧面及与抵顶面相对的顶面，所述顶面部分凹陷形成有收容槽。
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说 明 书
喷涂遮蔽结构及采用该结构的喷涂遮蔽方法
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技术领域
[0001]
本发明涉及一种喷涂遮蔽结构及采用该结构的喷涂遮蔽方法。
背景技术
一般消费型电子产品如手机或计算机等外壳通常进行外表面的喷涂以达到美化外壳的装饰目的。电子产品的外壳通常会设有凹槽以安装其它组件或用于划分出不同喷漆区域。当凹槽的底部无需喷涂时，需采用对应的遮蔽件加以遮蔽，以便于喷涂。[0003] 常用喷涂遮蔽方法采用与凹槽底面形状相同的遮蔽件放置于凹槽内，遮蔽件覆盖于凹槽底面以防止喷涂时将涂料喷至凹槽底面。然而，由于加工精度的，遮蔽件和凹槽不能完全贴合，必然存在微小的缝隙。喷涂时，当工件表面的涂层厚度较大时，单位面积的喷涂量也较大，此时会有较多涂料喷涂至遮蔽件上，而遮蔽件和凹槽侧壁之间的缝隙由于毛细现象而对涂料产生吸附力，从而将涂料沿凹槽的侧壁吸附至凹槽底面，使凹槽的底面被涂覆上涂料，降低了产品的喷涂质量。
[0002]
发明内容
鉴于上述状况，有必要提供一种可提高喷涂质量的喷涂遮蔽结构及采用该结构的喷涂遮蔽方法。
[0005] 一种喷涂遮蔽结构，用于对工件的非喷涂面进行遮蔽，工件包括自喷涂面凹陷的凹槽，凹槽的底面为非喷涂面，喷涂遮蔽结构包括第一遮蔽件及第二遮蔽件，第一遮蔽件具有一抵持面及与抵持面相对的遮蔽面，第一遮蔽件可收容于凹槽并使遮蔽面朝向凹槽的底面，第二遮蔽件具有与第一遮蔽件的抵持面配合的抵顶面，抵持面及抵顶面边缘的轮廓形状与凹槽的底面边缘的轮廓形状相同。[0006] 一种喷涂遮蔽方法，用于对工件喷涂时的非喷涂面进行遮蔽，包括以下步骤：提供一工件，工件包括自喷涂面凹陷的凹槽，凹槽具有底面，底面为非喷涂面；提供一喷涂遮蔽结构，喷涂遮蔽结构包括第一遮蔽件及第二遮蔽件，第一遮蔽件具有一抵持面及与抵持面相对的遮蔽面，第一遮蔽件可收容于凹槽并使遮蔽面朝向凹槽的底面，第二遮蔽件具有与抵持面配合的抵顶面，抵持面及抵顶面边缘的轮廓形状与底面边缘的轮廓形状相同；将第一遮蔽件放置于工件的凹槽，使遮蔽面朝向凹槽的底面，抵持面边缘与凹槽底面的边缘平齐；将第二遮蔽件放置于第一遮蔽件上，使抵顶面与抵持面贴合，且抵顶面边缘与抵持面边缘平齐。
[0007] 由于抵持面及抵顶面形成缝隙对涂料产生吸附作用而吸附部分涂料，这样可减少或避免涂料自凹槽与第一遮蔽件、第二遮蔽件之间缝隙而流至底面，从而提高喷涂质量。
[0004]
附图说明
图1是本发明实施例一的喷涂装置的示意图。[0009] 图2是图1的喷涂装置的局部放大图。
[0008]
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CN 102078852 ACN 102078855 A[0010]
说 明 书
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图3是图1的喷涂装置的喷涂示意图。
[0011] 图4是本发明实施例二的喷涂装置的局部放大图。[0012] 图5是本发明实施例三的喷涂装置的局部放大图。[0013] 图6是图5的喷涂装置的喷涂示意图。
具体实施方式
[0014] 下面结合实施方式对本发明的喷涂装置及采用该装置的喷涂方法作进一步详细说明。
[0015] 请参阅图1，本发明实施例一的喷涂遮蔽结构100用于工件110进行喷涂时对非喷涂面进行遮蔽，其包括第一遮蔽件120及第二遮蔽件130。[0016] 请参阅图2，工件110包括待喷涂面111及自待喷涂面111凹陷的凹槽112。凹槽112具有底面1121及自底面1121垂直延伸的侧壁1122，侧壁1122与喷涂面111相交。在本实施方式中，凹槽112的底面1121为非喷涂面。[0017] 第一遮蔽件120大体为片状，其形状与凹槽112的形状相对应，且包括抵持面121、与抵持面121相邻的侧面122及与抵持面121相对的遮蔽面123。遮蔽面123的形状与凹槽112的底面1121的形状相吻合。抵持面121边缘轮廓与底面1121边缘轮廓相同，侧面122垂直于抵持面121。本实施例中，抵持面121为平面。[0018] 第二遮蔽件130大体为片状，其包括抵顶面131、与抵顶面131相邻的导流面132及与抵顶面131相对的顶面133。抵顶面131边缘轮廓与抵持面121边缘轮廓相同。本实施例中，抵顶面131与顶面133均为平面且相互平行。导流面132与抵顶面131之间的夹角小于90度。
[0019] 采用喷涂遮蔽结构100对工件110进行遮蔽时，将第一遮蔽件120放置凹槽112，使第一遮蔽件120的遮蔽面123与凹槽112的底面1121贴合，且抵持面121的边缘与底面1121的边缘平齐。
[0020] 将第二遮蔽件130放置于第一遮蔽件120，使抵顶面131抵持抵持面121且抵顶面131的边缘与抵持面121的边缘平齐。[0021] 请同时参阅图3，由于加工精度的，第一遮蔽件120、第二遮蔽件130及凹槽112之间必然存在微小的缝隙。当喷涂量较大时，侧壁1122及侧面122形成的缝隙中的涂料受到抵持面121及抵顶面131形成的缝隙吸附力作用，会有部分涂料进入抵持面121及抵顶面131形成的缝隙。导流面132倾斜设置，使得沿导流面132流下的涂料首先流至抵持面121及抵顶面131形成的缝隙而被吸附，同时抵持面121及抵顶面131形成的缝隙会吸附部分流入侧壁1122及侧面122形成的缝隙中的涂料。这样可减少或避免涂料自侧壁1122及侧面122形成的缝隙而流至底面1121，从而提高喷涂质量。[0022] 请参阅图4，本发明实施例二的喷涂遮蔽结构200与实施例一的喷涂遮蔽结构100大体相同，其不同在于：导流面232垂直于抵顶面231，此时涂料不容易沿导流面232流下，减少流入侧壁1122及侧面222形成的缝隙中的涂料。[0023] 请参阅图5及图6，本发明实施例三的喷涂遮蔽结构300与实施例一的喷涂遮蔽结构100大体相同，其不同在于：导流面332垂直于抵顶面331，顶面333包括倾斜面3331及自倾斜面3331延伸的平坦面3332。倾斜面3331与导流面332的夹角小于90度，从而使
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得倾斜面3331与平坦面3332形成的收容槽334可收集喷涂至顶面333的涂料，避免顶面333的涂料流入侧壁1122及侧面322形成的缝隙中。[0024] 另外，本领域技术人员还可在本发明精神内做其它变化，当然，这些依据本发明精神所做的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围内。
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图2
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