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专利名称：金属等离子体激元耦合发光增强硅基LED及其制作
方法
专利类型：发明专利
发明人：刘宏伟,刘春影,杨广华,王真真,阚强,陈弘达申请号：CN201310548138.0申请日：20131105公开号：CN103560192A公开日：20140205
摘要：本发明属于微电子与光电子技术领域，涉及一种金属等离子体激元耦合发光增强硅基LED，采用标准CMOS工艺制成，包括集成在P型硅衬底上的PN阱发光结及P电极和N电极，P和N均为尖端角度在75°至90°之间的楔形结构，在PN阱发光结的上方，先覆盖有一层SiO，再在SiO表面制作有金属Ag光子晶体结构。本发明利用金属光子晶体的SPP泄露模式近场局域耦合增强器件发光效率，提高了硅基CMOS器件发光强度，且器件发光面积集中，具有较高的光功率密度，有利于器件光电集成。
申请人：天津工业大学
地址：300160 天津市河东区成林道63号
国籍：CN
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