ＥＭＩＦ０２．ＭＩＣ０７Ｆ３：麦克风接口芯片 意法半导体推出一款全新麦克风接Ｅｌ芯片，可降低内 置麦克风所需的整体空问，实现各种功能。 ＨＭＣ９１ ０ＬＣ４Ｂ：宽带时延调节 Ｈｉｔｔｉｔｅ微波公司推出宽带时延产品ＨＭＣ９１０ＬＣ４Ｂ． 可支持直流至２４ＧＨｚ的宽频率范围，适用于复杂系统中 意法半导体的ＥＭＩＦ０２．ＭＩＣ０７Ｆ３是下一代麦克风接 的时问调节，例如时钟、数据恢复、边缘检测、不归零码． 口器件，单片集成麦克风正常工作所需的噪声滤波器、静 归零码转换、数据补偿、复用，解复用等。 电放电（ＥＳＤ）保护和偏压电路三大功能，采用意法半导体 可提供０ｐｓ－７０ｐｓ之间不同的延迟时间，输出电压差 ＰＺＴ（钛酸铅）制程。 ＥＭＩＦ０２一ＭＩＣ０７Ｆ３ 的主要特性有：器件采 用１．１７ｍｍ Ｘ １。１７ｍｍ 的ＳＴ ＩＰＡＤ（无源有源 器件集成技术）封装； ＥＳＤ保护功能符合ＩＥＣ ６１ ０００－４－２第４级安全标准；高电 容．密度ＰＺＴ技术：４５ｎＦ／ｍｍｚ；单片解决方案。 ＥＭＩＦ０２－ＭＩＣ０７Ｆ３采用８焊球无铅倒装片ＩＰＡＤ封装。 ＳＴＭｉｃｒｏｅＩｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ｗｗｗ．ｓｔｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ。ＣＯｒｎ．ｃｎ ＨＭＣ７９５ＬＰ５Ｅ＂宽带直接调制器 Ｈｉｔｔｉｔｅ微波公司推出一款新的带可变增益放大器 （ＶＧＡ）的宽带直接ｆ／Ｑ调制器ＨＭＣ７９５ＬＰ５Ｅ，适用于汽车、 宽带、３Ｇ蜂窝技术、ＷｉＭＡＸ／４Ｇ、军用设备、测试测量的 应用，频率范围为２０ＭＨｚ－２８００ＭＨｚ。 ＨＭＣ７９５ＬＰ５Ｅ是一款较低噪声，较高线性度，直 接调制的ＲＦＩＣ，内置一数字控制的ＶＧＡ，使得其数字 控制特性尤为突出，线性增益达到３２ｄＢ，连续步进增益 为Ｏ．５ｄＢ。这款宽带直接调制器的输出噪声电平低至一１５８ ｄＢｍ／Ｈｚ，输出Ｐ１ｄＢ为＋１１ｄＢｍ，输出ＩＰ３为＋２５ｄＢｍ，边 带抑制为一５５ｄＢｃ。该器件可工作于差分或单端模式，当本 振输入驱动在．９到＋３ｄＢｍ范围时，其微波输出端１３为差 分信号。本振泄露和边带抑制性能较好，在３１．５ｄＢｍ的动 态范围内好于非校准状态下的－５０ｄＢｃ，电流为１２０ｍＡ。 内置的ＶＧＡ提供了灵活的控制选项。 采用５ｍｍ×５ｍｍ的ＳＭＴ ＱＦＮ封装。该器件可进行 基站、接入端口、用户端设备的任何模拟与数字调制，包括 ＢＰＳＫ、ＱＰＳＫ、８ＰＳＫ、ＯＦＤＭ、ＱＡＭ。ＨＭＣ７９５ＬＰ５Ｅ适 用于软件无线电、要求其上变频器的调制模式以及／或者输 出频率可变的无线电广播及多通道发射机。瞄囡豳 Ｈｉｔｔｉｔｅ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ ｌ●１１１１ ｈｉｔｔｉｔｅ．ＣＯｒｎ Ｌ…一… … ｍ 恒定，可用直流电压来调节，支持单端和差分输入。它的 延迟时间与延迟控制电压ＶＤＣ（１．１Ｖ￣２．３Ｖ）成线性关系。 内置一温度补偿，在温度方面稳定性较好，其延迟控制端 Ｅｌ提供６００Ｈｚ的调制带宽。上升沿和下降沿为１４ｐｓ，任 意抖动小于３００ｆｓ ｒｍｓ，可支持３２Ｇｂｐｓ的数据传输速率， 允许２４ＧＨｚ时钟信号延迟，由一个３．３Ｖ的直流电压供电。 在高数据传输率时仍能有较高质量的眼图。所有射频输出 输入信号，与Ｖｃｃ匹配到５０Ｑ，既可以是交流耦合也可以 是直流耦合。 此器件是４ｍｍ×４ｍｍ ＳＭＴ封装的陶瓷器件，符合 ＲｏＨＳ标准，工作温度范围为－４０￣Ｃ一＋８５￣Ｃ。匿回圃 Ｈｉｔｔｉｔｅ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｗｔ４／Ｈ／．ｈｉｔｔｉｔｅ．ｃｏｍ 存储器件 ＲＬＤＲＡＭ ３：内存 美光科技推出了第三代低延时ＤＲＡＭ，它是一种高带 宽内存技术，能更有效的传输网络信息。 ＲＬＤＲＡＭ ３应用在对网络基础设施提出了更高效要求 与在线传输大量数据的视频内容、移动应用和云计算等领 域。与前几代产品相比，美光新的ＲＬＤＲＡＭ ３内存进一步 提高了存储密度和速度，同时最大限度地减少了延迟，降 低了功耗．在网络应用中性能更好。 美光新的ＲＬＤＲＡＭ ３内存的主要特点有：延时ｔＲＣ 不足１０ｎｓ；密度为５７６Ｍｂ．１Ｇｂ，灵活性较高，可用于多 种设计；速率达２１３３Ｍｂｉｔ／ｓ，数据存取速度更快；１．２Ｖ ＩＯ 和１．３５Ｖ内核电压，较高能效更省电；构建ＲＬＤＲＡＭ合 作伙伴网络。 美光与其合作伙伴可为客户提供量身定制的解决方 案，ＲＬＤＲＡＭ ３内存可集成到其产品系列中。匿囫跚 Ｍｉｃｒｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｗｗｗ．ｇｌｏｂｅｎｅｗｓｗｉｒｅ．ｃｏｍ
