基于PHEMT的放大器芯片及其热沉的热仿真等效模型

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201510233976.8 （22）申请日 2015.05.11 （71）申请人 浙江大学

地址 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号

（10）申请公布号 CN104867926A

（43）申请公布日 2015.08.26

（72）发明人 徐秀琴;王志宇;尚永衡;郭丽丽;汪洋;郁发新 （74）专利代理机构 杭州求是专利事务所有限公司

代理人 林松海

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

基于PHEMT的放大器芯片及其热沉的热仿真等效模型

（57）摘要

本发明公开了一种基于PHEMT的放大器芯

片及其热沉的热仿真等效模型。该模型包括放大器芯片的等效模型及其热沉的等效模型。放大器芯片的等效模型包括等效的PHEMT管芯、等效版图、芯片基板、金属过孔、背金。热沉的等效模型包括金锡焊料、垫盘纯铜、底板氧化钡。其中等效PHEMT管芯主要根据每个晶体管的结构与热分布特性将其等效为与晶体管的栅极尺寸相同的T型栅、T型栅下方的热源以及与整级的栅指尺寸

相同的金块。本发明实现了在整个通用热分析软件中准确模拟基于PHEMT的放大器芯片的管芯热特性，可以为整个芯片的电路设计和热设计提供快捷有效的参考数据。

法律状态

法律状态公告日

2015-08-26 2015-08-26 2015-09-23 2015-09-23 2017-09-29

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

法律状态

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

权利要求说明书

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说明书

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