一种垂直结构的氮化镓异质结HEMT

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201611128018.5 （22）申请日 2016.12.09

（71）申请人 宁波海特创电控有限公司

地址 315500 浙江省宁波市奉化市经济开发区汇明路98号

（10）申请公布号 CN106549038A

（43）申请公布日 2017.03.29

（72）发明人 周炳

（74）专利代理机构 宁波浙成知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

代理人 王明超

（51）Int.CI

H01L29/08; H01L29/20; H01L21/336; H01L29/778;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

一种垂直结构的氮化镓异质结HEMT

（57）摘要

本发明公开了一种垂直结构的氮化镓异质

结HEMT，其包括从下至上依序设置的Si衬底层、N型重掺杂的GaN层、N型掺杂的N‑GaN层、介质钝化层和欧姆金属电极，N型掺杂的N‑GaN层刻蚀有GaN沟槽，GaN沟槽内生长AlGaN层，

AlGaN层上刻蚀有AlGaN沟槽，AlGaN沟槽内从下至上依序生长未掺杂的i‑GaN层、P型轻掺杂的P‑GaN层和重掺杂的多晶硅层；欧姆金属电极包括源极、漏极和栅极，源极和栅极同在器件的正面，并以介质钝化层隔开，漏极在器件背面。本发明通过AlGaN层和N‑GaN层形成二维电子气，二维电子气通过源/漏极垂直传输，P‑GaN层和N‑GaN层形成PN结。

法律状态

法律状态公告日

2017-03-29 2017-03-29 2017-04-26 2017-04-26 2019-08-02

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

法律状态

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

权利要求说明书

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说明书

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