一种CVD碳化硅材料的制备方法[发明专利]
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专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：一种CVD碳化硅材料的制备方法专利类型：发明专利
发明人：涂溶,徐青芳,章嵩,张联盟申请号：CN201710049992.0申请日：20170123公开号：CN106835071A公开日：20170613
摘要：本发明涉及一种CVD碳化硅材料的制备方法，包含如下步骤：将基板置于冷壁式化学气相沉积腔体中的加热台上，将真空度调至10Pa以下，预热基板，保温。以稀释气Ar将前驱体HMDS带入反应腔体，调节反应腔体压强(P)至400～800Pa；打开激光，照射基板，激光波长为808nm；调节激光功率，使基板温度升(T)至1100～1200℃，沉积薄膜，保温；停止通入HMDS和Ar，关闭激光，抽真空至10Pa以下，并自然冷却至室温。本发明的有益效果是：沉积碳化硅材料的同时，抑制了杂质碳的生成，提高材料的电阻率、击穿电场强度和抗腐蚀等理化性能；电阻率可高于含有杂质碳的碳化硅材料2个数量级。
申请人：武汉理工大学
地址：430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号
国籍：CN
代理机构：湖北武汉永嘉专利代理有限公司
代理人：崔友明
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